Автор работы: Пользователь скрыл имя, 17 Января 2012 в 18:33, контрольная работа
1. Какие типы керамики выделяют по применению и по какому параметру их подразделяют?
2. Чему равна энергия активации фотоносителей в собственном полупроводнике?
3. Запишите и поясните формулу для расчета температурного коэффициента удельного сопротивления.
Под действием внешнего электрического поля напряженностью Е происходит смещение связанных зарядов относительно своих устойчивых положений, т.е. происходит ориентация зарядов внешним электрическим полем. Это явление называется поляризацией. В результате в объеме диэлектрика возникает внутреннее электростатическое поле ЕВН, обусловленное заряженными частицами самого вещества (рис.2.1), а суммарное поле в диэлектрике
ЕД
= Е – ЕВН>0.
Для
количественной оценки степени поляризации
диэлектрика пользуются макроскопической
характеристикой, называемой диэлектрической
проницаемостью е. Различают абсолютную
диэлектрическую проницаемость ε * и относительную,
или просто диэлектрическую проницаемость
ε. Абсолютная диэлектрическая проницаемость
есть величина, характеризующая способность
диэлектрика образовывать электрическую
емкость; ее размерность — [Ф/м]. Связь
между абсолютной и относительной диэлектрической
проницаемостями определяется соотношением
ε* = εε0, где ε0
— электрическая постоянная, характеризующая
электрическое поле при отсутствии его
взаимодействия с веществом, т.е. она характеризуют
электрическое поле в вакууме:
Относительная
диэлектрическая
проницаемость
ε является безразмерной
величиной и определяется
соотношением
С точки зрения существования внутреннего электростатического поля в диэлектрике относительная диэлектрическая проницаемость показывает во сколько раз ослабляется поле в диэлектрике по сравнению с полем в вакууме при одинаковом заряде, создающем это электрическое поле, т.е.
.
Электропроводностью называется способность вещества проводить электрический ток под действием постоянного электрического поля.
В реальном диэлектрике за счет несовершенства структуры и наличия примесей имеется незначительное число свободных носителей зарядов, перемещение которых под действием электрического поля создает ток сквозной проводимости или же ток утечки (IСК).
Смещение
связанных зарядов
Количественной мерой электропроводности является удельная проводимость γ, равная заряду, протекающему в единицу времени через единичное сечение образца при единичной напряженности поля.
Согласно закона Ома, плотность тока j пропорциональна напряженности электрического поля Е. Коэффициентом пропорциональности является удельная проводимость, т.е.
j = γЕ
С другой стороны j = qnυ, где п — концентрация носителей заряда, а υ — скорость направленного движения зарядов в электрическом поле напряженностью Е. Следовательно, можно записать γЕ = qnυ, откуда
.
Задача №7
Найти положение уровня Ферми в собственном полупроводнике при комнатной температуре, оценить процентное отклонение от полуширины запрещённой зоны.
Варианты полупроводников:
Оцените
влияние температуры на относительное
изменение положения уровня Ферми
для узко- и широкозонных полупроводников.
Уровень
Ферми в собственном
где
2)
Для GaP Eg=2,25 (эВ),
процентное отклонение
от полуширины запрещённой зоны 3,3%
3)
Для InAs Eg=0,36 (эВ),
процентное отклонение
от полуширины запрещённой зоны 17%
В процентном отклонении от зависит от материала (3,3% и 17%). С ростом температуры уровень Ферми возрастает.
Список
литературы:
/ А. П. Казанцев. - Мн.: Дизайн ПРО, 1988, 2001 г.