Приборы на резонансном туннелировании

Такие логические вентили используют переход из моностабильного  в бистабильное состояние схемы, состоящей из двух последовательно соединенных приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. При этом по крайней мере один из приборов должен иметь третий вывод для модуляции пикового тока. На рисунке 6. показаны нагрузочные кривые и соответствующие диаграммы потенциальной энергии для такой схемы.

Рисунок 6-Нагрузочные кривые и соответствующие диаграммы потенциальной энергии для базового элемента, обеспечивающего переход из моностабильного в бистабильное состояние

Количество  устойчевых точек равно единице (рисунке 6 а), когда напряжение смещения меньше, чем удвоенное пиковое напряжение (2V_p). Эта устойчивая точка расщепляется на две ветви, S₁ и S₂ (рисунок 6 в), когда напряжение смещения увеличивается за пределы 2V_p . Небольшое различие пикового тока у двух приборов определяет состояние схемы после перехода. Например, больший пиковый ток в задающем приборе (нижний резонансно-туннельный диод или транзистор) дает стабильную точку S₁ (штриховая линия). Различие пиковых токов может быть слишкоммалым для переключения, так как в точке перехода (рисунок 6 б) система чувствительна к разнице. 
              

Заключение

 В заключении  следует отметить, что наиболее  важными особенностями рассмотренных  наноэлектронных приборов на  туннельных эффектах являются  их расширенные, по сравнению  с традиционными приборами, функциональные  возможности, связанные с уникальностью  вольт-амперных характеристик, и  высокое быстродействие. Благодаря  им эти приборы играют важную  роль в разработке сверхбыстродействующих  интегральных микросхем со сверхвысокой  степенью интеграции.