Автор работы: Пользователь скрыл имя, 02 Сентября 2013 в 19:44, контрольная работа
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
Федеральное агентство связи
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Межрегиональный центр переподготовки специалистов
Выполнил:
Группа:
Вариант: 06
Проверил: ___________________
Новосибирск, 20_г
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
Дано:
Материал – Cu
То1=-30C
То2=0
То3=+30C
L=500км
S=15мм2
I=120А
Найти: ∆U
Решение.
По закону Ома в интегральной форме падение напряжения ΔU при токе I в проводнике сопротивлением R на участке длиной равно:
R – полное сопротивление материала равно:
где λ – геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной,
ρ – удельное сопротивление проводника при температуре Т.
Для кабеля с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной L:
Зависимость удельного сопротивления проводника от температуры:
где α – температурный коэффициент сопротивления; α =0,004 К-1
ρ0 – удельное сопротивление проводника при температуре Т0=20ºС ( 0=0,0175 мкОм·м)
Подставим в формулу (1) величины из формул (2) и (3), получим:
Задача № 3.1.2
Определить длину
проволоки для намотки проволоч
Дано:
Материал – алюминий
R=2000Ом
P=5Вт
j=0,75А/мм2
ρ0=0,028мкОм*м
Найти: L
Решение.
Мощность Р, рассеиваемая материалом под напряжением U при прохождении через него тока величиной I, равна:
Из формулы
для определения плотности тока
=> , т.е.
где S – площадь сечения проводника;
j – плотность тока;
I – величина тока;
R – сопротивление материала.
Сопротивление материала найдем по формуле:
где λ – геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной.
ρ – удельное сопротивление проводника при температуре Т.
Для кабеля с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной L:
Подставим в формулу (1) величину λ из формулы (2):
=> - получили формулу для нахождения S (площади поперечного сечения проводника)
=>
3.2 Полупроводниковые материалы
Задача 3.2.1
Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.
Дано:
Полупроводник материал – Ge
Примесь - фосфор
N=1018см-3
Найти: ni, pд
Решение.
В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:
,
где и – эффективные плотность состояния электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне;
эВ/К - Постоянная Больцмана
эВ - ширина запрещенной зоны полупроводника
При расчете концентраций воспользуемся табличными значениями эффективных плотностей (из методических указаний к курсу):
В данном случае имеет место донорная примесь или примесь замещения (поставляет электроны в зону проводимости проводника) так как валентность Ge (4) а примесь фосфор (5), определим концентрацию в примесном полупроводнике при нормальных условиях (Т=293 К) по формуле:
где:
эВ - энергия необходимая для отрыва электрона от атома
Из выражения соотношения «действующих масс»:
найдем концентрацию дырок:
Задача 3.2.2
Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.
Дано:
Полупроводник материал – Ge
Примесь - фосфор
N=1018см-3
То=290 К
Найти: γсобст
Решение.
Удельная проводимость собственного γ полупроводника при равна:
- подвижность электронов,
где - коэффициент диффузии электронов
-постоянная Больцмана
Кл – элементарный заряд
- собственная концентрация
- подвижность дырок,
где м2/с- коэффициент диффузии дырок
Собственные концентрации определим по формуле:
,
где: эВ/К- Постоянная Больцмана
и – эффективные плотность состояния электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно;
эВ/К- Постоянная Больцмана
эВ - ширина запрещенной зоны полупроводника
Примесная проводимость (в данном случае электронная проводимость) вычисляется по формуле:
где:
эВ - энергия необходимая для отрыва электрона от атома
Задача 3.2.3
Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни τ.
Дано:
Материал – Ge - n – типа
То=290 К
τ = 250мкс
Найти: Ln
Решение.
Основными, называются носители заряда в проводнике, концентрация которых больше. В проводнике n-типа основными носителями являются электроны. В таком полупроводнике появление неравновесных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных носителей заряда. В этих условиях скорость рекомбинации пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителей, а время жизни оказывается постоянным. Такую рекомбинацию называют линейной.
Диффузионной длиной называется среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время жизни:
где Dn - коэффициент диффузии электронов
τ – время жизни электронов
Подвижность электронов определяется соотношением Эйнштейна: , (2)
где эВ/К - Постоянная Больцмана
= 3800 см2/сек
Выразим Dn из формулы (2) и подставим в (1):
3. 3 Диэлектрические материалы
Задача № 3.3.1
Конденсаторная керамика при 20°С имеет проводимость γ° = 10-13 Сим/см. Какова проводимость γт при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления α= 0,8?
Дано:
Т=35˚С
Найти: γт
Решение.
Проводимость и удельное сопротивление взаимно обратно пропорциональны:
Зависимость объемного
удельного сопротивления
,
где – сопротивление диэлектрика при температуре окружающей среды 20˚С,
- температурный коэффициент сопротивления
выразим из формулы (1):
теперь определим проводимость при заданной температуре Т = 35˚С:
Сим/см
Задача № 3.3.2
Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр.
Дано:
Материал – Лавсан
f=1000 кГц
h=0,11 мм
Т=45 оС
tg δ=3 * 10-3
α tg δ=1,2 * 10-2 1/К
ε=1,2
σ= 13[Вт/см2*град]
Найти: Uпр
Решение.
Пробивное напряжение найдем по формуле:
,
где К=1,15·105 - числовой коэффициент;
f – частота, Гц;
tgδ0 – тангенс угла потерь диэлектрика при температуре окружающей среды;
h – толщина;
σ – коэффициент теплоотдачи , Вт/м2·К;
α – температурный коэффициент тангенса угла потерь
В диэлектриках, имеющих ε < 10, преобладающими являются потери сквозной электропроводности
Задача № 3.3.3
Как изменится
электрическая прочность
Дано:
h1=0,5 см
h2=0,001 см
Решение.
Электрическая прочность диэлектрика:
где Uпр – напряжение пробоя диэлектрика.
h – толщина материала.
Так как рассматриваемые
расстояния между обкладками конденсатора
много меньше размера обкладок, то
возникает однородное поле, при
уменьшении расстояния между электродами
электрическая прочность воздух
При неизменном Uпр , при h1:
при h2:
разделим (2) на (1):
Количественно,
электрическая плотность
3.4 Магнитные материалы
Задача № 3.4.1
Один из магнитных
сплавов с прямоугольной петлей
гистерезиса ППГ имеет
Дано:
Hо=9 А/м
Hс=8 А/м
Sф=24мкк/м
Найти: i
Решение.
Коэффициент переключения для магнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса:
где - напряженность магнитного поля, соответствующая максимальной магнитной индукции В .
- время переключения.
Задача 3.4.2.
Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала α. Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала μ и ε, если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала μа, εм имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола ε д=2,5.
Дано:
α=0,4
εм=25
Найти: μ,ε
Решение.
Для магнитодиэлектрика, состоящего из связующего диэлектрика и магнитного наполнителя магнитная проницаемость :
Информация о работе Контрольная работа по " Химия радиоматериалов "