Автор работы: Пользователь скрыл имя, 26 Ноября 2013 в 07:03, курсовая работа
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.
При решении многих инженерных задач, например при измерении электрических и неэлектрических величин, приеме радио сигналов, контроле и автоматизации технологических процессов, возникает необходимость в усилении электрических сигналов. Для этой цели служат усилители.
,В |
1,8 |
1,8 |
1,8 |
1,7 |
1,7 |
1,6 |
1,6 |
1,5 |
f, кГц |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
График зависимости от f
f = 50 [Гц]
,В |
1,9 |
2,2 |
2,65 |
2,9 |
3,5 |
3,75 |
4,2 |
4,45 |
4,8 |
5,18 |
,В |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
1,4 |
,В |
5,6 |
5,95 |
6,5 |
6,7 |
6,8 |
7,3 |
11,9 |
11,3 |
11 |
11 |
11 |
,В |
1,5 |
1,6 |
1,7 |
1,8 |
1,9 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
График зависимости от
Список используемой литературы:
Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники Издательство: М., "Энергия", 1974 г., 256 с.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник/Под ред. Н. Н. Горюнова,-М.: Энергоатомиздат, 1985 г., 250 с.
Войшвилло Г.В. Усилительные устройства Издание 2-е, перераб. и доп. 1983 г., 264 с. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1977 г., 210 с.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - 4-е изд., перераб. и доп. - Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985 г., 352 с.
План:
1.Биполярный транзистор
2.Принцип действия
3.Схема включения (ОБ, ОК, ОЭ)
4.Входные и выходные характеристики