Курсовая работа на тему исследование транзистора

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 18 Июня 2014 в 19:44, курсовая работа

Краткое описание

Выбор структурной схемы усилителя. Расчет оконечного каскада, элементов схемы по постоянному току, глубины общей ООС.

Содержание

Введение…………………………………………………………………………..2
1. Обоснование выбора структурной схемы усилителя………………………..6
2. Ориентировочный расчет числа каскадов усиления………………………...7
3. Обоснование выбора принципиальной схемы усилителя…………………..8
4. Расчет оконечного каскада…………………………………………………...10
5. Расчет элементов схемы по постоянному току……………………………..17
6. Расчет глубины общей ООС…………………………………………………23
7. Проверочный расчет коэффициента усиления усилителя…………………26
8. Расчет удлинителя в цепи общей ООС…………………………………….. 28
9.Заключение по результатам расчетов………………………………………...29
10. Список использованной литературы……………………………………….30

Вложенные файлы: 1 файл

готовая курсовая полностью с графиками.doc

— 479.00 Кб (Скачать файл)

Определяется рабочая область характеристики транзистора. Для этого на выходных характеристиках транзистора строится характеристика максимально допустимой мощности рассеяния:

Iк  =

Iк1=225/5=45 мA

Iк2 =225/10=22,5 мA

 

Iк3 =225/15=15 мA

Iк4 =225/20= 11,25 мA

Iк5 =225/25= 9 мA

Для остроения этой характеристики задается значения Uкэ для транзистора ГТ308Б от 2 В до 10 В.

На оси напряжений отмечаются эти значения и восстанавливаются перпендикуляры до пересечения с соответствующим каждому значению Uкэ току Iк. Затем полученные точки соединяются плавной линией, далее проводятся линии, соответствующие Uкэ мах и Uост. Значение Uост определяется графически, для этого опускается на ось напряжений перпендикуляр из точки перегиба верхней вольт – амперной характеристики.

Определение рабочей области характеристик транзистора ГТ308Б

Определяется напряжение покоя транзистора по максимально допустимому напряжению Uкэ мах:

Uко ≤ = 20+1,25/2 = 10,75 B;

Определяется мощность, отдаваемая транзистором с учетом заданного КПД трансформатора ηтр = 0,9:

 

Р'~ = =39/0,95= 41 мВт;

 

Определяется мощность рассеяния на коллекторе транзистора:

 

Рко = =41/0,4*0,9 = 113 мВт;

Рис.3.Выходная характеристика транзистора КТ312А

 

 

Рис.4.Входная характеристика транзистора КТ312А

 

 

 

где ηА – максимальный КПД каскада в режиме А, принимается равным 0,4;

ηос – коэффициент, учитывающий потери мощности сигнала в цепи обратной связи, принимается равным 0,9;

Ток покоя рассчитывается, исходя из мощности рассеяния на коллекторе транзистора:

 

Iко = =113/10,75 = 10,5 мА;

 

На семействе выходных характеристик транзистора отмечаются выбранные Uко, Iко и определяется соответствующей точке покоя ток базы Iбо (входной ток) Полученное значение Iбо отмечается на входной характеристике и определяется соответствующее ему напряжение смещения Uбо.

Uко = 10,75 В;

Iко = 10,5 мА

Iбо = 0,2 мА;

Uбо =0,4 В;

 

Определяется амплитуда напряжения выходного сигнала:

 

Uкm ≤ Uко - Uост = 10,75-1,25 = 9,5 В;

 

Определяется амплитуда тока выходного сигнала:

 

Iкm = =2*41/9,5 = 8,6 мА;

Строится нагрузочная прямая переменного тока. Для этого на семействе выходных характеристик транзистора от координаты точки покоя на оси токов вниз откладывается амплитуда тока Iкм, а от координаты точки покоя вправо – амплитуда напряжения Uкм. Пересечением уравнений Iко – Iкм и Uко + Uкм определяется точка М. Через точку М и точку покоя проводим нагрузочную

 

 

прямую переменного тока.

 

Iко – Iкm = 15,4 – 13 = 2,4 мА;

 

Uко + Uкm =7 + 6 = 13 В;

 

На семействе выходных характеристик транзистора отмечается точка N на нагрузочной прямой переменного тока, соответствующая пересечению уровня Uост и нагрузочной прямой.

Определяется соответствующий точкам M и N входной ток. Точке М будет соответствовать минимальный входной ток Iбmin, а точке N – Iб max максимальный.

Iбmin = 0, 03 мА;

Iб max = 0,38 мА;

Определяется амплитуда тока входного сигнала:

 

Iбm = =0,38- 0,03/2 = 0,175 мА;

 

Определяется мощность, отдаваемая транзистором в выбранном режиме:

 

Р~ = =8,6*9,5/2=41 мВт;

Сравниваются полученная величина Р~ с Р'~. Условие соблюдается:

Р~ ≥ Р'~ = 41 мВт ≥41 мВт

На входной характеристике транзистора отмечаются токи Iб max, Iбо, Iбmin, и опеделяется соответствующие этим токам значения входного напряжения.

Uбэ мах = 0,43 В;

    Uбэ min =0,31 В;

Определяется амплитуда напряжения входного сигнала:

Uбm = =0,43-0,31/2=0,06 В;

 

 

Определяется коэффициент усиления по напряжению:

 

К = =9,5/0,06 = 158,2 ≈ 158 раз;

 

Определяется входное сопротивление транзистора:

Rвх = =0,06/(0,175*10-3) = 342 Ом;

 

Определяется сопротивление нагрузки выходной цепи:

R~ = =9,5/(8,6* 10-3) = 1104 Ом;

 

Определяется мощность, потребляемая выходной цепью транзистора от источника питания:

Р = Iко * Uко = 10,5*10,75= 112,8 мВт;

 

Определяется фактический коэффициент полезного действия выходной цепи:

ηф = =41/112,8 = 0,36;

Nкаск

Uко3, В

Iко3, mА

Uбо3, В

Iбо3, mА

К3

Rвх 3, Ом

R~ 3, Ом

ηф

3

10,75

10,5

0,4

0,2

158

342

1104

0,36




Таблица1. Параметры оконечного каскада

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5. Расчет элементов схемы по  постоянному току

 

Расчет начинается оконечного каскада. Для удовлетворительной стабилизации точки покоя в оконечном каскаде определяется ток делителя третьего каскада:

 

Iд3 = (5 ÷ 10) Iбо3 = 6 * 0,2 = 1,2мА;

 

Напряжение на резисторе в цепи эмиттера третьего каскада составит:

UR15 = (5÷10) U бо3 = 6 * 0,4 =2,4 В;

 

Рис.5.Расчёт оконечного каскада по постоянному току

Определяется сопротивление резистора в цепи эмиттера третьего каскада:

 

R15 = =2,4/(10,5+0,2)* 10-3= 224 ≈ 240 Ом;

Определяем мощность резистора в цепи эмиттера третьего каскада:

Р R15= (Iко3 + Iбо3)* UR15= (10,5+0,2) * 2,4 = 25,68 мВт;

 

 

Определяется напряжение источника питания:

 

Е = UR15 + U ко3 + Iко3* R16 = 2,4 +10,75 +10,5* 10 * 220= 16 В;

 

где R16≈ (1/5) R~ = 0,2 * 1104 = 220 Ом;

 

Напряжение на резисторе в цепи эмиттера третьего каскада:

UR15 = (Iко3 + Iбо3)* R15 = (15,4 *10-3 + 0,3 * 10-3) * 91 = 1,4 В;

 

Определяем мощность резистора в цепи эмиттера третьего каскада:

 

Р R16 = Iко32 *R 16 = 10,5 2 * 220 =24255 мВт ≈ 24,2 Вт;

 

Определяется сопротивление резисторов делителя смещения:

 

R13 = =16-0,4-2,4/(1,2+0,2)* 10-3 =9428 Ом ≈ 10 кОм

 

Определяем мощность резистора в цепи эмиттера третьего каскада:

 

РR13 =(Iд3 + Iбо3)*(E–Uбо3–UR15)=( 1,2+0,2)*( 16-0,4-2,4)=18,48 мВт;

 

Сопротивление на резисторе в цепи эмиттера третьего каскада:

R14 = =0,4+2,4/1,2*10-3 = 2333 ≈2,4 кОм;

Определяем мощность резистора в цепи эмиттера третьего каскада:

Р R14 = Iд3 * (Uбо3 + UR15) = 1,2 * (0,4+2,4) = 3,36 мВт;

Прежде чем перейти к расчету каскадов предварительного усиления, наносятся заданные координаты точки покоя первого и второго каскадов предварительного усиления на выходные характеристики транзистора, определили U бо, Iбо.

 

 

 

   Таблица 2

Номер каскада

Uко1, В

Iко1, мА

Uбо1, В

Iбо1, мА

1

5

2

0,32

0,05

Номер каскада

Uко2, В

Iко2, мА

Uбо2, В

Iбо2, мА

2

3

4

0,35

0,1


 

Режим работы каскадов предварительного усиления определяется условием получения максимального усиления, а во входном каскаде – условием получения максимальной помехозащищенности.

Для расчета каскадов предварительного усиления задается напряжение на резисторах UR6 = UR11 = 1В.


Рис.6.Расчёт каскадов предварительного усиления по постоянному току

 

Ток делителя первого каскада составит:

Iд 1 = (5 ÷ 10) Iбо 1 = 5 * 0,05 = 0,25 мА;

Напряжение на резисторе в цепи эмиттера первого каскада составит:

UR5 = (5 ÷ 10) U бо 1 = 5*0,32 = 1,6 В;

Определяем мощность резистора в цепи коллектора первого каскада:

Р R5 = (Iбо 1 + Iко 1) * UR5 = (0,05 + 2) * 1,6= 3,28 мВт;

 

 

Определяется сопротивление резистора в цепи коллектора первого каскада:

 

R5 = =1,6/(0,05 + 2)* 10-3 =780 ≈ 820 Ом;

 

Определяется сопротивление резистора в цепи коллектора первого каскада:

 

R4 = =16-1-1-5-1,6/(2+0,1)* 10-3=3523 ≈ 3,6 кОм;

 

Определяем мощность резистора в цепи коллектора первого каскада:

 

РR4 =(Iбо 2+Iко 1)*(E–UR6-UR11–UR5)=(0,1+2)*(16–1–1–1,6) = 26,04 мВт;

 

Определятся сопротивление резисторов делителя смещения первого каскада:

 

R2= =16-1-1-0,32-1,6/(0,25+0,05)*10-3=43 кОм;

 

Определяем мощность резистора делителя смещения первого каскада:

 

Р R2=(Iд1+ Iбо 1)*(E–UR6–UR11 – Uбо1 – UR5) = (0,25+0,05)*( 16-1-1-0,32-1,6)= 3,6 мВт

 

 Определятся сопротивление резисторов делителя смещения первого каскада:

 

R3 = =0,32+2,4/0,25*10-3 = 10880 ≈ 11 кОм;

Определяем мощность резистора делителя смещения первого каскада:

Р R3 = Iд1 * UR3 = 0,25 * (0,32 + 2,4) = 0,68 мВт;

Определяется сопротивление резистора в цепи эмиттера второго каскада:

R9 = =2,4+5-0,35/(0,1+4)*10-3=1890 ≈ 2 кОм;

 

 

Определятся напряжение резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

UR9 = ( + ) * R9 = (4*10-3 +0,1*10-3 )*1890 = 7,5 В;

 

Определяем мощность резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

Р R9 = ( ) * UR9 = (4+0,1)* 7,5 = 30 мВт;

 

Определяется сопротивление резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

R8 = =16-1-7,5-3/4*10-3 = 1125 ≈ 1,2 кОм;

 

Определяем мощность резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

Р R8= * (Е – UR11 – UR9 – Uко2) = 4*(16-1-7,5-3)= 18 мВт;

Определяется сопротивление резисторов фильтрующих цепей:

R6= =1/(0,25+2+0,05+0,1)*10-3 = 416 ≈ 430 Ом

      

Определяем мощность резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

Р R6= ( ) * UR6 =(0,25+2+0,05+0,1)*1 = 2,4 мВт;

Определяется сопротивление резисторов фильтрующих цепей:

R11 = =1/(0,25+2+0,05+0,1+4)* 10-3 =156≈160 Ом

 

Определяем мощность резистора в цепи коллектора второго каскада:

 

Р R11= (Iд 1 + Iко 1 + Iбо 1 + Iбо 2 + Iко 2) * UR11=(0,25+2+0,05+0,1+4)*1=6,4мВт;

 

 

 

Перечень элементов схемы

 

Номер позиции

Наименование

Кол-во

Т1

Трансформатор

1

Т2

Трансформатор

1

VT1

Транзистор КТ312А

1

VT2

Транзистор КТ312А

1

VT3

Транзистор КТ312А

1

C

Конденсатор

11

R2

МЛТ 0,122 43 кОм ±5%

1

R3

МЛТ 0,122 11 кОм ±5%

1

R4

МЛТ 0,122 3,6 кОм ±5%

1

R5

МЛТ 0,122 820 Ом ±5%

1

R6

МЛТ 0,122 430Ом ±5%

1

R7

МЛТ 0,122 270 Ом ±5%

1

R8

МЛТ 0,122 1,2 кОм ±5%

1

R9

МЛТ 0,122   2 кОм ±5%

1

R10

МЛТ 0,122 27 Ом ±5%

1

R11

МЛТ 0,122 160 Ом ±5%

1

R12

МЛТ 0,122 270 Ом ±5%

1

R13

МЛТ 0,122 10 кОм ±5%

1

R14

МЛТ 0,122 2,4 кОм ±5%

1

R15

МЛТ 0,122 240 Ом ±5%

1

R16

МЛТ 0,122 220 Ом ±5%

1

Информация о работе Курсовая работа на тему исследование транзистора