Автор работы: Пользователь скрыл имя, 23 Апреля 2013 в 15:31, курсовая работа
Эволюция схем приёмников на транзисторах была весьма, сходной с эволюцией схем ламповых приёмников: разрабатывались схемы приёмников прямого усиления, супергетеродинные схемы. Современные транзисторные приёмники выполняются, как правило, по супергетеродинной схеме. Развитие полупроводниковой электроники привело к качественно новому направлению устройств приёма и обработки информации микроэлектронике. Успехи в развитии современной микроэлектроники позволяют в значительной степени улучшить основные параметры радиоприёмников. Замена целых функциональных узлов и блоков радиоприёмника интегральными микросхемами, замена конденсаторов переменной ёмкости варикапами и варикапными матрицами, применение сенсорных устройств вместо механических переключателей диапазонов позволяют по-новому решать вопросы конструирования радиоприёмных устройств.
Введение
Радиоприемник является одним из наиболее распространенных
радиотехнических устройств, значение, которого в экономической, социальной и культурной жизни людей огромно. Радиосвязь невозможна без радиоприемника, с изобретением которого практически началась эра радио. Радиоприем является не только важнейшей, но и наиболее трудной задачей радиотехники.
Эволюция
схем приёмников на транзисторах была
весьма, сходной с эволюцией схем
ламповых приёмников: разрабатывались
схемы приёмников прямого усиления,
супергетеродинные схемы. Современные
транзисторные приёмники
Конструкций радиоприемников существует несчетное множество. Радиоэлектроника развивается исключительно быстро, так что вдобавок приемники быстро стареют, и каждый год в магазинах появляются новые изделия, которые лучше предыдущих.
Хороший приемник
должен выделить из хаоса радиоволн,
которые приходят к антенне, лишь
те сигналы, которые нужны. Это свойство
носит название избирательности, в
лучших современных приемниках избирательность
достигает 120 дБ (ослабление помехи в
миллион раз). Приемник должен быть
как можно более
Блок-схема
радиоприемника прямого усиления достаточно
очевидна. Прежде всего, надо выделить
нужную длину волны и усилить
колебания высокой частоты, создаваемые
в антенне волной, интересующей слушателя
станции. Далее необходимо произвести
детектирование, или демодуляцию.
И, наконец, усилитель — уже
для низкочастотных колебаний. Завершающей
стадией является превращение этих
электрических колебаний в
Блок-схема радиоприемника супергетеродинного типа отличается лишь тем, что в ней добавляется преобразователь, состоящий из гетеродина и смесителя, УПЧ и появляется возможность исключить из схемы УРЧ т.к. основное усиление сигнала происходит на промежуточной частоте.
Чувствительность приемника
В данном курсовом проекте рассматривается радиовещательный приемник CВ диапазона супергетеродинного типа.
1. Выбор и обоснование схемы электрической структурной
По принципу обработки принимаемого сигнала различают радиовещательные приёмники прямого усиления, в которых сигнал усиливается непосредственно, и супергетеродинные, в которых основное усиление осуществляется на промежуточной частоте, полученной в результате преобразования частоты принимаемого сигнала.
В приёмнике прямого усиления содержатся: входная цепь, выделяющая сигнал, принятый антенной; усилитель высокой частоты, который усиливает поступившие из входной цепи полезные сигналы и осуществляет дальнейшее ослабление сигналов мешающих станций; детектор, преобразующий модулированное колебание высокой частоты в колебания низкой частоты; оконечный аппарат (динамик или громкоговоритель); и блок питания.
Рисунок 1. – Структурная схема приёмника прямого усиления.
Но приёмник прямого усиления не может обеспечить высокую чувствительность и хорошую избирательность.
В супергетеродинном приёмнике за счёт преобразования частоты принимаемого сигнала снижаются нежелательные обратные связи и повышается устойчивость.
Рисунок
2. – Структурная схема
Входная цепь, усилитель высокой частоты (может отсутствовать), детектор и усилитель низкой частоты действуют также как и в приёмнике прямого усиления. Преобразователь частоты состоит из смесителя и гетеродина. Гетеродин генерирует вспомогательную частоту fг, а преобразование частоты осуществляется в смесителе. На смеситель воздействует два колебания высокой частоты: колебание сигнала fc, поступившее из входной цепи, и от гетеродина fг. В результате частоты смешиваются и, за счёт избирательной системы в нагрузке смесителя, на выходе выделяется сигнал с промежуточной частотой. Усилитель промежуточной частоты обеспечивает требуемое усиление сигнала fпр до значения, необходимого для качественной работы детектора. Использование усилителя промежуточной частоты позволяет получить высокую избирательность и равномерное усиление в полосе пропускания.
Супергетеродинная схема является основной схемой современных приёмников, так как она обеспечивает не только высокую избирательность и чувствительность.
Но она имеет также и недостатки: трудность настройки, так как в ВЧ тракте имеются колебания трёх частот fг, fc, fпр; наличие дополнительных "паразитных" каналов приёма.
В данном курсовом проекте применяется приемник супергетеродинного типа СВ диапазона.
2. Эскизный расчёт
2.1 Эскизный расчет
Выбирается транзистор для высокочастотной части приемника
а) Выберем транзистор ГТ322В, у которого fгр=50 МГц
f max<0,1* fгр. (1)
2 МГц< 0,1* 50 МГц
Данные транзистора ГТ322В:
h11б=34 Ом, h22б=1,0 мкСм,
h21э=20 – 120, Ck=2,5 пФ,
rб сk =200 пс Iк=1 мА
б) Определяется крутизна транзистора. По формуле:
(2)
где S – крутизна вольтамперной характеристики, мА/В
h21э – коэффициент передачи по току в схеме ОЭ
h11э – входное сопротивление транзистора в схеме ОЭ, Ом
h11б – входное сопротивление транзистора в схеме ОБ, Ом
Так как в справочнике даны h–параметры для схемы с ОБ, то воспользуемся формулами перевода:
(3)
Принимается среднее значение
h21э=70
(4)
где rбСк – постоянная времени цепи обратной связи коллектора, пс
Ск – проходная емкость транзистора, пФ
(5)
где а – коэффициент частотного использования транзистора
fmax – максимальная частота на которой будет работать транзистор, Гц
fгр – граничная частота работы транзистора, Гц
в) производится перевод из h-параметров транзистора в Y-параметры.
(6)
где g11 – входная проводимость, См
(7)
где g22 – выходная проводимость, мкСм
Для транзисторов, работающих в режиме преобразования:
(8)
(9)
(10)
Sпр=0,6*29,4=17,64 мА/В
Расширяется заданный рабочий диапазон часто
(11)
где f'max – расширенная максимальная рабочая частота транзистора, МГц
f'max=1,02*3=3,06 МГц
(12)
где f''min – расширенная минимальная рабочая частота транзистора, МГц
f''min=0,98*1,5=1,47 МГц
Определение эквивалентной добротности контуров преселектора и необходимость применения УРЧ
а) Минимальная эквивалентная
(13)
где Seзк – заданная избирательность по ЗК. Seзк=24 дБ =15,9.
f 'зк – частота зеркального канала, МГц, рассчитывается по формуле:
f 'зк=f 'max+2 fпр (14)
где fпр – выбранная промежуточная частота, МГц
f 'зк=3,06+2*0,465=3,99 МГц
б) рассчитывается полоса частот входного сигнала по формуле:
(15)
где 2Δfc – допустимая неточность сопряжения входного контура и контура гетеродина, кГц.
2Δfг – допустимый уход частоты гетеродина, кГц
П=2*6+ 1,5+ 3= 16,5 кГц
в) Максимальная добротность контура из условия допустимых частотных искажений по формуле:
(16)
где Мсч – частотные искажения одного контура входной цепи.
Для заданного диапазона СВ примем
Мсч=2 дБ =1,26.
Так как: Qэп > Qэи, 52,3 >12,2 то УРЧ не нужен.
г) Из условия Qэи < Qэ < Qэп
где Qэ – величина эффективной добротности контуров преселектора, выбираем Qэ = 28.
Конструктивная добротность
(17)
где Qк – конструктивная добротность контура
ψ – коэффициент шунтирования контура, учитывающий шунтирующее действие входного сопротивления транзистора. Ψ=0,7
Получение значения Qк практически осуществимо.
д) Определяется значение добротности на минимальной частоте по формуле:
(18)
где Qэ(min) – добротность на минимальной частоте
dэ(min) – затухание на минимальной частоте и определяется по формуле:
(19)
где d – затухание контура, определяется по формуле:
(20)
dэ(max) определяется по формуле:
(21)
Проверяется избирательность на частоте равной промежуточной
Рассчитывается избирательность, при n=1:
(22)
где Se пр – избирательность по частоте равной промежуточной, дБ
fпр – промежуточная частота, МГц
f0 –крайняя частота диапазона наиболее близкая к промежуточной, кГц
≈29 дБ
Задана избирательность по промежуточной частоте 24 дБ, что соответствует в разах Sепр=15,9, следовательно входная цепь обеспечивает заданную избирательность по промежуточной частоте и использовать фильтр не нужно.
Распределение между трактами приемника частотных искажений
В диапазоне СВ частотные искажения на один контур преселектора принимаем
Мсч=2 дБ
Частотные искажения низкочастотной части приемника принимаем
Мнч=2,1 дБ
Тогда частотные искажения тракта ПЧ:
(23)
МПЧ =8−(2+2,1)=3,9 дБ
Определяется число поддиапазонов
Требуемый коэффициент диапазона по частоте определяется по формуле:
(24)
Коэффициент диапазона, определяется через емкости
(25)
где Сmax – максимальная емкость конденсатора, пФ
Сmin – минимальная емкость конденсатора, пФ
Ссх – емкость схемы, пФ. Для СВ Ссх=25 пФ
Выбирается конденсатор КПЕ, у которого:
Сmax=365 пФ Сmin=10 пФ
Так как Кдс >Кд, то диапазон на поддиапазоны не разбиваем.
Выбор схемы входной цепи приемника
Применим одноконтурную входную цепь. Выбираем индуктивную связь контура входной цепи с транзистором первого каскада.
Выбор схемы преобразователя частоты
Выбираем
схему преобразователя частоты
с гетеродином, так как эта
схема позволяет подобрать
Выбор избирательной системы тракта промежуточной частоты.
Рассмотрим в качестве избирательной системы ФСС.
а) Определяется расчетная добротность контура звена фильтра.
(26)
Где
∆F=Fmax
б) Задается конструктивная добротностью контура Qк =400
в) Рассчитывается полоса пропускания фильтра.
(27)
где хп - обобщённая расстройка,
хп =0,8
г) Рассчитывается вспомогательная величина – обобщенную расстройку xс, соответствующую избирательности по СК.
(28)
где ∆f – расстройка по соседнему каналу (обычно 10 кГц).
Обобщенное затухание β по формуле:
(29)
Рисунок 3. - График обобщенной резонансной кривой.
д) По графику (рисунок 1) определяется избирательность по СК, создаваемую одним звеном фильтра
Seск1=3 дБ
е) Пользуясь тем же графиком (рисунок 1) по значениям β и Хп определяется частотные искажения Sem, вносимые одним звеном фильтра
Информация о работе Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной