Микропроцессоры и микро ЭВМ

Технологический процесс  производства (Process Technology) – техпроцесс определяет размеры элементов и  соединений между ними в интегральной схеме. Измеряется в микрометрах (0,35 μm; 0,25 μm;…). Чем меньше число, тем  меньше сам кристалл, следовательно, меньше потребляемая мощность и тепловыделение. А ведь тепловыделение сильно препятствует увеличению частоты, на которой работает микропроцессор.  Где-то в 1997 году произошел переход с 0,25 μm на 0,18 μm технологию производства. А уже в 2001 году произошел переход на 0,13 μm технологию, что позволило намного увеличить частоту. Вот-вот произойдет переход на 0,09 μm.    

 Производительность  микропроцессора определяется параметрами:

1. Тактовая частота (Частота ядра) (Internal clock) – это количество электрических импульсов в секунду. Каждый импульс несет в себе некую информацию - это могут быть команды процессору или данные памяти. Тактовая частота задается кварцевым генератором - одним из блоков, расположенных на материнской плате. Тактовая частота кварцевого генератора выдерживается с очень высокой точностью и лежит в мега или гигагерцовом диапазоне. Один герц - один импульс, один мегагерц - один миллион импульсов, один гигагерц - тысяча мегагерц. Микропроцессор, работающий на тактовой частоте 800 МГц, выполняет 800 миллионов рабочих тактов в секунду. В зависимости от сложности обрабатываемой команды процессору для выполнения задачи необходимы сотни и тысячи тактов. Но для выполнения простых операций бывает достаточно одного такта. Чем выше тактовая частота ядра, тем выше скорость обработки данных. Современные микропроцессоры работают на частотах от 300 МГц до 4,7 ГГц.

2.  Частота системной шины (System clock или Front Side Bus) – системная шина служит для связи микропроцессора с остальными устройствами. Микропроцессор имеет две частоты: тактовая частота ядра и частота системной шины. Чем выше частота системной шины, тем выше скорость передачи данных между микропроцессором и остальными устройствами. Частота системной шины современных микропроцессоров от 66 МГц до 266МГц. 

3. Объем Кэш-памяти (Cache) – Кэш-память быстрая память малой емкости, используемая процессором для ускорения операций, требующих обращения к памяти. Кеш – промежуточное звено между микропроцессором и опретивной памятью. Различают несколько уровней кэша: кэш первого уровня (L1) - кэш команд (инструкций) которые предстоит исполнить, кэш первого уровня размещается на одном кристалле с процессором. Кэш второго уровня (L2) - кэш данных - используется для ускорения операций с данными (в первую очередь чтения). На общую производительность влияет размер кэша L2. Чем больше L2, тем дороже процессор, т.к. память для кэша еще очень дорога. Поэтому эффективнее увеличивать частоту кэша, а для этого он должен находиться как можно ближе к ядру процессора. Кэш-память может работать на частоте 1/4, 1/3, 1/2, 1/1 от частоты ядра. Современные микропроцессоры имеют кэш объемом от 8 Кб до 5Мб.  

 Предельно эксплуатационные  параметры микропроцессоров:

1. Напряжение питания микропроцессора  –  величина питающего напряжения микропроцессоров зависит от технологического процесса и от частоты ядра. Чем меньше кристалл и ниже частота, тем меньше напряжение питания. Напряжение питания современных микропроцессоров от 0,5 В до 3,5 В, чаще всего от 1,2 В до 1,75 В.  

2.  Ток ядра – у современных микропроцессоров ток, протекающий через ядро от 1 А до 90 А. 

3.  Потребляемая мощность – зависит от величины питающего напряжения и от частоты ядра. Чем меньше напряжение питания и частота, тем меньше потребляемая мощность. Мощность современных микропроцессоров от 1Вт до 120 Вт. Чаще всего в пределах 40-70 Вт. 

4. Максимальная температура нагрева кристалла  –  максимальная температура кристалла, при которой возможна стабильная работа микропроцессора. У современных микропроцессоров она колеблется в пределах от 60˚С до 95˚С. 

 Физические параметры  микропроцессорв (Форм-фактор):

1.  Тип, размеры корпуса

2.  Размеры кристалла

3.  Количество выводов

4.  Форма расположения выводов        

 

 

 

 

 

 

 

 

                          

Современные технологии полупроводникового производства.

     В  последние годы к стадии возможности  использования в коммерческом  производстве подошел целый ряд  технологий, позволяющих заметно  увеличить скорость работы транзисторов, либо столько же заметно уменьшить  размер чипа без перехода на  более тонкий технологический  процесс. Некоторые из этих  технологий уже начали применяться  в течение последних месяцев,  их названия упоминаются в  новостях, относящихся к компьютерам,  все чаще. Эта статья – попытка  сделать краткий обзор подобных  технологий, попытавшись заглянуть  в самое ближайшее возможное  будущее чипов, находящихся в  наших компьютерах.

Первая интегральная схема, где соединения между транзисторами  сделаны прямо на подложке, была сделана более 40 лет назад. За это  время технология их производства претерпела ряд больших и малых улучшений, пройдя от первой схемы Джека Килби  до сегодняшних центральных процессоров, состоящих из десятков миллионов  транзисторов, хотя для серверных  процессоров впору уже говорить о сотнях миллионов.

Здесь пойдет речь о некоторых последних технологиях  в этой области, таких, как медные проводники в чипах, SiGe, SOI, перовскиты. Но сначала необходимо в общих  чертах затронуть традиционный процесс  производства чипов из кремниевых пластин. Нет необходимости описывать  процесс превращения песка в  пластины, поскольку все эти технологии не имеют к столь базовым шагам  никакого отношения, поэтому начнем с того, что мы уже имеем кремниевую пластину, диаметр которой на большинстве  сегодняшних фабрик, использующих современные  технологии, составляет 20 см. Ближайшим  шагом на ее превращении в чипы становится процесс окисления ее поверхности, покрытия ее пленкой окислов - SiO2, являющейся прекрасным изолятором и защитой поверхности пластины при литографии.

Дальше на пластину наносится еще один защитный слой, на этот раз - светочувствительный, и  происходит одна из ключевых операций - удаление в определенных местах ненужных участков его и пленки окислов  с поверхности пластины, до обнажения  чистого кремния, с помощью фотолитографии.

На первом этапе  пластину с нанесённой на её поверхность  плёнкой светочувствительного слоя помещают в установку экспонирования, которая по сути работает как фотоувеличитель. В качестве негатива здесь используется прецизионная маска - квадратная пластина кварцевого стекла покрытая плёнкой  хрома там, где требуется. Хромированные  и открытые участки образуют изображение  одного слоя одного чипа в масштабе 1:5. По специальным знакам, заранее  сформированным на поверхности пластины, установка автоматически выравнивает  пластину, настраивает фокус и  засвечивает светочувствительный  слой через маску и систему  линз с уменьшением так, что на пластине получается изображение кристалла  в масштабе 1:1. Затем пластина сдвигается, экспонируется следующий кристалл и так далее, пока не обработаются все чипы на пластине. Сама маска  тоже формируется фотохимическим способом, только засвечивание светочувствительного слоя при формировании маски происходит по программе электронным лучом  примерно также, как в телевизионном  кинескопе.

В результате засвечивания химический состав тех участков светочувствительного слоя, которые попали под прозрачные области фотомаски, меняется. Что  дает возможность удалить их с  помощью соответствующих химикатов  или других методов, вроде плазмы или рентгеновских лучей. 

После чего аналогичной  процедуре (уже с использованием других веществ, разумеется) подвергается и слой окислов на поверхности  пластины. И снова, опять же, уже  новыми химикатами, снимается светочувствительный  слой:

Потом накладывается  следующая маска, уже с другим шаблоном, потом еще одна, еще, и  еще... Именно этот этап производства чипа является критическим в плане  ошибок: любая пылинка или микроскопический сдвиг в сторону при наложении  очередной маски, и чип уже  может отправиться на свалку. После  того, как сформирована структура  чипа, пришло время для изменения  атомной структуры кремния в  необходимых участках путем добавления различных примесей. Это требуется  для того, чтобы получить области  кремния с различными электрическими свойствами - p-типа и n-типа, то есть, как  раз то, что требуется для создания транзистора. Для формирования p-областей используются бор, галлий, алюминий, для  создания n-областей - сурьма, мышьяк, фосфор.

Поверхность пластины тщательно очищается, чтобы вместе с примесями в кремний не попали лишние вещества, после чего она  попадает в камеру для высокотемпературной  обработки и на нее, в том или  ином агрегатном состоянии, с использованием ионизации или без, наносится  небольшое количество требуемых  примесей. После чего, при температуре  порядка от 700 до 1400 градусов, происходит процесс диффузии, проникновения  требуемых элементов в кремний  на его открытых в процессе литографии участках. В результате на поверхности  пластины получаются участки с нужными  свойствами. И в конце этого  этапа на их поверхность наносится  все та же защитная пленка из окисла кремния, толщиной порядка одного микрона.

Все. Осталось только проложить по поверхности чипа металлические  соединения (сегодня для этой роли обычно используется алюминий, а соединения сегодня обычно расположены в 6 слоев), и дело сделано. В общих чертах, так в результате и получается, к примеру, классический МОП транзистор: при наличии напряжения на затворе начинается перемещение электронов между измененными областями кремния.

Теперь, слегка пробежавшись по классическому процессу создания сегодняшних чипов, можно более  уверенно перейти к обзору технологий, которые предполагают внести определенные коррективы в эту картину.

Медные соединения

Первая из них, уже  начавшая широко внедряться в коммерческое производство - это замена на последнем  этапе алюминия на медь. Медь является лучшим проводником, чем алюминий (удельное сопротивление 0,0175 против 0,028 ом*мм2/м), что, в полном соответствии с законами физики, позволяет уменьшить сечение  межкомпонентных соединений. Вполне своевременно, учитывая постоянное движение индустрии в сторону уменьшения размеров транзисторов и увеличения плотности их размещения на чипе, когда  использование алюминия начинает становиться  невозможным. Индустрия начала сталкиваться с этой проблемой уже в первой половине 90-х. Вдобавок, что толку  в ускорении самих транзисторов, если соединения между ними будут  съедать весь прирост скорости?

Проблемой при переходе на медь являлось то, что алюминий куда лучше образует контакт с кремнием. Однако после не одного десятка лет  исследований, ученым удалось найти  принцип создания сверхтонкой разделительной области между кремниевой подложкой  и медными проводниками, предотвращающей  диффузию этих двух материалов.

По данным IBM, применение в технологическом процессе меди вместо алюминия, позволяет добиться снижения себестоимости примерно на 20-30 процентов за счет снижения площади  чипа. Их технология CMOS 7S, использующая медные соединения, позволяет создавать чипы, содержащие до 150-200 миллионов транзисторов. И, наконец, просто увеличение производительности чипа (до 40 процентов) за счет меньшего сопротивления проводников.

IBM начала предлагать  клиентам эту технологию в  начале 98 года, в конце этого года  своим заказчикам предложили  использовать медь при производстве  их чипов TSMC и UMC, AMD начинает  выпуск медных Athlon в начале 2000 года, Intel переходит на медь в 2002 году, одновременно с переходом на 0.13 мкм техпроцесс.        

SiGe    

 Соединения - соединениями, но уже на скорости чипа  в несколько ГГц перестает  справляться с нагрузкой сама  кремниевая подложка. И если для  традиционных областей применения  чипов кремния пока достаточно, в области беспроводной связи  уже давно дефицит на дешевые  скоростные чипы. Кремний - дешево, но медленно, арсенид галлия - быстро, но дорого. Решением здесь стало  использование в качестве материала  для подложек соединения двух  основ полупроводниковой индустрии  - кремния с германием, SiGe. Практические  результаты по этой технологии  стали появляться с конца 80-х  годов. Первый биполярный транзистор, созданный с использованием SiGe (когда  германий используется как материал  для базы), был продемонстрирован  в 1987 году. В 1992 году уже появилась  возможность применения при производстве  чипов с SiGe транзисторами стандартной  технологии КМОП с разрешением  0.25 мкм.

Результатом применения становится увеличение скорости чипов  в 2-4 раза по сравнению с той, что  может быть достигнута путем использования  кремния, во столько же снижается  и их энергопотребление. При этом, в ход вступает все тот же решающий фактор - стоимость: SiGe чипы можно производить  на тех же линиях, которые используются при производстве чипов на базе обычных кремниевых пластин, таким образом отпадает необходимость в дорогом переоснащении производственного оборудования. По информации IBM, потенциальная скорость транзистора (не чипа!) с их технологией составляет сегодня 45-50 ГГц (что далеко не рекорд), ведутся работы над увеличением этой цифры до 120 ГГц. Впрочем, в ближайшие годы прихода SiGe в компьютер ждать не стоит - при тех скоростях, что потребуется PC чипам в ближайшем будущем вполне хватает кремния, легированного такими технологиями, как медные соединения или SOI.        

 Кремний на  изоляторе (silicon-on-insulator, SOI)        

 Еще одна технология, позволяющая достаточно безболезненно  повысить скорость чипов, не  требуя от производителей отказаться  от всех их сегодняшних наработок.  Как и технология медных соединений, SOI позволяет создателям чипов  убить двух зайцев одним выстрелом  - поднять скорость, до 25 процентов,  одновременно снизив энергопотребление.  Что из себя представляет эта  технология? Вспомним начало обработки  кремниевой пластины - она покрывается  тонкой пленкой окисла кремния.  А в SOI к этому бутерброду  добавляется еще один элемент  - сверху опять наносится тонкий  слой кремния:

Вот и получается - кремний на изоляторе. Зачем это  понадобилось? Чтобы уменьшить емкость. В идеале МОП транзистор должен выключаться, как только будет исчезнет питание  с затвора (или наоборот, появится, в случае с КМОП). Но наш мир  далеко не идеален, это справедливо  и в данном конкретном случае. На время срабатывания транзистора  напрямую влияет емкость области  между между измененными участками  кремния, через которую и идет ток при включении транзистора. Он начинает и заканчивает идти не мгновенно, а только после, соответственно, зарядки и разрядки этой промежуточной  зоны. Понятно, что чем меньше это  время, тем быстрее работает транзистор, можно сказать, что тем меньше его инерция. Для того и придумана SOI - при наличии между измененными участками и основной массой кремния тонкой пластинки изолирующего вещества (окисел кремния, стекло, и т.д.), этот вопрос снимается, и транзистор начинает работать заметно быстрее.

Основная сложность  в данном случае, как и в случае с медными соединениями, заключается  в разных физических свойствах вещества. Кремний, используемый в подложке - кристалл, пленка окислов - нет, и закрепить  на ее поверхности, или же не поверхности  другого изолятора еще один слой кристаллического кремния весьма трудно. Вот как раз проблема создания идеального слоя и заняла весьма много  времени. Не так давно IBM уже продемонстрировала процессоры PowerPC и чипы SRAM, созданные  с использованием этой технологии, просигнализировав этим о том, что SOI подошла к стадии возможности  коммерческого применения. Совсем недавно, IBM объявила о том, что она достигла возможности сочетать SOI и медные соединения на одном чипе, пользуясь  плюсами обеих технологий. Тем  не менее, пока что никто кроме  нее не заявил публично о намерении  использовать эту технологию при  производстве чипов, хотя о чем-то подобном речь идет.