Автор работы: Пользователь скрыл имя, 02 Апреля 2013 в 17:29, курсовая работа
В настоящее время импульсные источники вторичного электропитания (ИВЭ) получили широкое распространение. Они занимают практически 90% мирового рынка всех изготавливаемых ИВЭ.
Введение ……………………………………………………………………...3-5
Теоретическая часть
Проблемы развития источников вторичного электропитания ……...5-20
Основные технические характеристики …………………………….20-26
Конструкция блока питания персонального компьютера ………….26-28
Структурная схема импульсного блока питания …………………...28-34
Широтно-импульсный преобразователь ……………………………34-59
Импульсный усилитель мощности ………………………………….59-75
Вторичные цепи источника питания ………………………………...75-84
Физические основы работы диодов Шоттки ………………………..84-94
Практическая часть
1.Объекты и методы исследования …………………………………….94
2. Основные сведения из теории ………………………………………...94-95
3. Расчетная часть ……………………………………………………….96-100
Заключение ……………………………………………………………….100-105
Литература
Ещё одна особенность
диодов Шотки заключается в
На рис. 2 показаны ВАХ кремниевого диода Шотки 2Д219, рассчитанного на максимально допустимый прямой ток 10 А. Прямое напряжение на диоде при максимально допустимом прямом токе не более 0,6 В, максимально допустимое обратное напряжение для диода 2Д219Б 20 В. Эти диоды допускают прохождение импульсов тока длительностью до 10 мс с периодом повторения не менее 10 мин с амплитудой, в 25 раз превышающей максимально допустимый прямой ток. Диоды рассчитаны на частоту выпрямляемого тока 0,2 МГц.
диод устройство полупроводник шотки
Рис. 2. ВАХ кремниевого диода Шотки 2Д219 при разных температурах
Импульсные диоды Шотки
Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрямительных диодов Шотки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь должно быть отдано арсениду галлия, так как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть менее с. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шотки при его включении в прямом направлении (что уже было отмечено ранее), при больших прямых напряжениях и плотностях прямого тока существует, конечно, некоторая составляющая прямого тока, связанная с инжекцией неосновных носителей заряда в полупроводник. Поэтому требование малости времени жизни неосновных носителей в исходном полупроводниковом материале остается и для импульсных диодов Шотки.
Арсенид галлия пока не удаётся получить с малой концентрацией дефектов, в результате чего арсенид-галлиевые диоды имеют относительно малые значения пробивных напряжений, далёкие от теоретически возможных. Это является существенным недостатком для выпрямительных диодов, но не столь важно для импульсных диодов, так как большая часть импульсных схем – это низковольтные схемы.
Выпускаемые
промышленностью арсенид-
В системных блоках питания, диоды Шоттки используются для выпрямления тока каналов +3.3В и +5В, а, как известно, величина выходных токов этих каналов составляет десятки ампер, что приводит к необходимости очень серьезно относиться к вопросам быстродействия выпрямителей и снижения их энергетических потерь. Решение этих вопросов способно значительно увеличить КПД источников питания и повысить надежность работы силовых транзисторов первичной части блока питания.
Итак, для уменьшения динамических коммутационных потерь и устранения режима короткого замыкания при переключении, в самых сильноточных каналах (+3.3В и +5В), где эти потери наиболее значительны, в качестве выпрямительных элементов используются диоды Шоттки. Применение диодов Шоттки в этих каналах обусловлено следующими соображениями:
1) Диод Шоттки является
практически безынерционным при
Диоды Шоттки в блоках питания
силовые транзисторы, и, как результат, увеличивает надежность блока питания.
2) Прямое падение напряжения на диоде Шоки также очень мало, что при величине тока 15-30 А обеспечивает значительный выигрыш в КПД.
Так как в современных блоках питания очень мощным становится и канал напряжения +12В, то применение диодов Шоттки в этом канале также дало бы значительный энергетический эффект, однако их применение в канале +12В нецелесообразно. Это связано с тем, что при обратном напряжении свыше 50В (а в канале +12В обратное напряжение может достигать величины и 60В) диоды Шоттки начинают плохо переключаться (слишком долго и при этом возникают значительные обратные токи утечки), что приводит к потере всех преимуществ их применения. Поэтому в канале +12В используются быстродействующие кремниевые импульсные диоды. Хотя промышленностью сейчас выпускаются диоды Шоттки и с большим обратным напряжением, но их использование в блоках питания считается нецелесообразным по разным причинам, в том числе и экономического плана. Но в любых правилах имеются исключения, поэтому в отдельных блоках питания можно встретить диодные сборки Шоттки и в каналах +12В.
В современных системных блоках
питания компьютеров диоды
Диодные сборки выпускается, в основном, в трех типах корпусов (рис.3):
Электрическая схема и цоколевка диодной сборки Шоттки представлены на (рис.4).
Электрические характеристики диодных сборок, наиболее часто используемых в современных системных блоках питания представлены в табл.1.
Взаимозаменяемость диодных сборок определяется, исходя из их характеристик. Естественно, что при невозможности использовать диодную сборку с абсолютно такими же характеристиками, лучше проводить замену на прибор с большими значениями тока и напряжения. В противном случае гарантировать стабильную работу блока питания будет невозможно. Известны случаи, когда производители применяют в своих блоках питания диодные сборки со значительным запасом по мощности (хотя чаще приходится наблюдать ситуацию, как раз, обратную), и при ремонте можно установить прибор с меньшими значениями тока или напряжения. Однако при такой замене необходимо самым тщательным образом проанализировать характеристики блока питания и его нагрузки, и вся ответственность за последствия такой доработки, естественно, ложится на плечи специалиста, производящего ремонт.
Свойства диодов Шоттки:
Достоинства
В то время, как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт. Столь малое прямое падение напряжения присуще только диодам Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт, выше же падение напряжения становится сравнимым с аналогичным параметром кремниевых диодов, что ограничивает применение диодов Шоттки.
Барьер Шоттки (открыл
нем. физик Вальтер Шоттки — Walter
Schottky) также имеет меньшую
Благодаря лучшим временны́м
характеристикам и малым
Недостатки
при кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя (КЗ — короткое замыкание), в отличие от обычных кремниевых p-n диодов, которые переходят в режим обратимого[1] пробоя, и, при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности после падения напряжения, диод полностью восстанавливает свои свойства.
диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. Для вышеупомянутого 30CPQ150 обратный ток при максимальном обратном напряжении изменяется от 0,12 мА при +25 °C до 6,0 мА при +125 °C. У низковольтных диодов в корпусах ТО220 обратный ток может превышать сотни миллиампер (MBR4015 — до 600 мА при +125 °C). При неудовлетворительных условиях теплоотвода положительная обратная связь по теплу в диоде Шоттки приводит к его катастрофическому перегреву.
Паспортные данные исследуемых диодов:
Электрические параметры |
1N5817 |
Постоянное прямое напряжение не более, В |
0,45-0,6 |
Постоянный обратный ток не более, мкА |
500 |
Максимальный выпрямительный ток, мА |
1000 |
Предельно допустимое обратное напряжение, В |
20 |
Схемы:
- прямое включение
- обратное включение
Формулы:
Статическое сопротивление:
Дифференциальное
Прямое включение диода 1N5817
Uпр, В |
0,218 |
0,265 |
0,317 |
0.349 |
0,368 |
0,391 |
Iпр, мА |
0,52 |
1,23 |
3,05 |
5,14 |
7,01 |
10,1 |
Обратное включение диода 1N5817
Uобр, В |
1,8 |
3,13 |
5 |
7,62 |
10 |
14,9 |
Iобр, мА |
0,001 |
0,001 |
0,001 |
0,002 |
0,004 |
0,021 |
Вольтамперная характеристика.
Рассчитаем статическое сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:
Диод Шоттки (1N5817) | |
Прямая ветвь |
Ro=0,317/(3,05*10-3)=103,93 Ом |
Обратная ветвь |
Ro=7,62/(0,002*10-3)=3,81*104О |
Рассчитаем дифференциальное сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:
Диод Шоттки (1N5817) | |
Прямая ветвь |
Ri=(0,349-0,317)/(3,05-1,23)= |
Обратная ветвь |
Ri=(7,62-5)/(0,002-0,001)=26, |
Вывод:
В данной работе мы диод Шоттки.
Проведя исследования, мы
пришли к выводу, что обратные токи
намного меньше, чем прямые. Прямая
ветвь вольтамперной