Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Февраля 2014 в 10:29, курсовая работа
Большое число регулирующих параметров процесса ионного легирования (доза, тип, энергия ионов, температура и среда отжига и др.) позволяют в широких пределах изменять свойства легированных слоев, но наряду с этим требуют глубокого физического понимания процессов внедрения ионов, их поведения в кристаллической решетке, кинетики образования и устранения радиационных дефектов, что необходимо для высококачественного технологического моделирования в конечном итоге эффективной реализации приборных структур и схем в интегральном исполнениию.
Введение…………………………………………………………………..………3
1. Анализ влияния технологических параметров на процесс ионной имплантации. Распределение внедренных примесных атомов…………..……4
2. Основные положения теории Линдхарда-Шарфа-Шиотта………….……..10
3. Радиационные дефекты…………………………………………………….…15
4. Локализация примесных атомов (на примере кремния, имплантированном ионами C+, B+ и совместно C+ и B+)…………………………………….………16
5. Отжиг легированной структуры. Активация примеси……………………..19
Выводы…………………………………………………………………………...25
Список литературы