Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Мая 2013 в 22:18, лекция
Рентгеноструктурным анализом называется исследование явления дифракции рентгеновских лучей на объектах, обладающих кристаллическим строением.
Этот метод характеризуется широким диапазоном вариантов, метод используют для определения структуры, качественного и количественного фазового анализа, включая нахождение толщины слоя, для определения размеров зерна, исследование типа, числа и распределение дефектов структуры, а также для выявления напряжений.
Исследованию можно подвергать все твердые тела как компактные (шлифы), так и в виде порошка. Исследуемая поверхность образцов составляет 1-10мм2.
Также интегральная интенсивность позволяет проводить количественный фазовый анализ.
3.3 Техника получения рентгенограмм
Нами уже рассмотрены некоторые виды съемок поликристаллов.
По типу регистрации дифрагированного излучения различают методики, использующие в качестве детектора, либо рентгеновскую пленку, либо счетчики рентгеновских фотонов.
Если не существует никаких ограничений, обусловленных характером материала образца, то предпочтение отдают дифрактометрическому – методы со счетчиком.
Изобразим схематически отдельные методики съемки поликрисьаллов и вид, полученных рентгенограмм и дифрактограмм:
Устройство рентгеновского дифрактометра обусловлено тремя блоками: рентгеновская трубка, образец, счетчик, находящийся на круге гониометра.
Геометрия излучения соответствует принципу фокусировки по Брегу – Брентано.
Основная особенность конструкции состоит в том, что образец расположен в центре гониометра, а счетчик регистрирует дифрагированное излучение на окружности гониометра.
Для ограничения расходимости рентгеновского луча служат цели и применяемые диафрагмы.
Во время регистрации рентгеновского луча образец вращается с угловой скоростью вдвое меньшей скорости вращения детектора.
Благодаря этому, нормали или перпендикуляры к образцу всегда образуют постоянный угол (90 - θ0) с первичными и отраженными лучами. Отражение осуществляется от тех плоскостей кристаллической решетки, которые расположены параллельно поверхности образца r = R / 2 sinθ.