Основы конструирования и технологии РЭС

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 10 Декабря 2012 в 23:36, курсовая работа

Краткое описание

Задачами проектирования являются:
1) овладение студентами навыками конструкторского проектирования наиболее распространенных изделий микроэлектронной техники: гибридных интегральных схем и микросборок, включая изучение технической литературы по проектированию (конструированию) микросхем, анализ принципиальной электрической схемы, заданного микроэлектронного изделия, которое должно быть реализовано в виде интегральной схемы; выбор материалов, выбор и обоснование элементной базы, проведение топологических расчетов, решение задач размещения элементов и трассировки соединений в ГИС (МСБ) и др.;
2) овладение практическими навыками в разработке рабочей конструкторской документации в соответствии с требованиями ЕСКД;
3) разработка проектной и рабочей конструкторской документации на регулятор температуры жала паяльника.

Содержание

Введение...................................................................................................................................................3
1.Техническое задание........................................................................................................... ………....4
2. Выбор элементной базы.....................................................................................................................6
2.1. Выбор типа конструкции и компоновочной схемы модуля……………………………...….6
2.2. Параметры и характеристики используемых навесных элементов…………….……….…..6
3. Выбор системы охлаждения..............................................................................................................8
4. Расчет элементов печатной платы и её площади…………………………………………....…….9
5. Выбор корпуса………………………………………………………………...................................11
6. Тепловое моделирование и расчёт теплового режима конструкции……………...……....……12
7. Расчёт вибропрочности………………………………………………………...……………...…...16
8. Способ крепления ПП к корпусу …………………………….……………………………..…….18
Заключение……………………………………………………………………………………....……19
Список использованной литературы……………………………………………..…………….……20
9. Приложение А...………………………………………………………………………….…..…….21
10. Приложение Б…………………………………………………………………………….……….22
11. Приложение В…………………………………………………………………………….……….23
12. Приложение Г……………………………………………………………………………………..25
13. Приложение Д……………………………………………………………………………………..27
14. Приложение Е…………………………………………………………………………….…….....28
15. Приложение Ж...………………………………………………………………………….…….....29

Вложенные файлы: 1 файл

Курсач по РЭС.DOCX

— 372.67 Кб (Скачать файл)

Таким образом, разработанная нами конструкция  управления питанием компьютерной системы и документация на него полностью отвечает требованиям, изложенным в техническом задании. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература.

 

  1. Технология РЭС и ЭВС. М.А. Сахаров  Москва МАИ 2003 г.
  2. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Э,Т. Романычева Москва “Радио и связь” 1989 г.
  3. Резисторы. Справочник. под ред.И.И. Четверткова 1991 г.
  4. Справочник по электрическим конденсаторам. Под ред.И.И.
  5. Четверткова 1983 г.
  6. Диоды. Справочник. О.П. Григорьев. 1990 г.
  7. Полупроводниковые приборы. Справочник. Н.Н. Горюнова Москва Энергоатомиздат 1985 г.
  8. www.chipdip.ru Чип и Дип - электронные компоненты и приборы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение А

Резисторы.

 

Резисторы  R1, R2, R3 типа МЛТ , т.е металлоплёночные теплостойкие

Номинальная мощность 0,125 Вт.

Диапазон 8,2..3,0*106 Ом.

Размеры D=2,2 мм; L=6,0 мм;

Масса не более 0,6г.

Ряд промежуточных  значений, допуск: Е24, Е96 с допусками  ±2, ±5, ±10%

Температура окружающей среды 0С от -60 до +155.

Предельное  рабочее напряжение постоянного  и переменного тока, В для 0,125 Вт равно 200 В.

Минимальная наработка для 0,125 Вт=20000ч.

Срок сохраняемости, лет=25.

 

Резисторы  R4, R5  типа МЛТ , т.е металлоплёночные теплостойкие

Номинальная мощность 0,25 Вт.

Диапазон 8,2..5,1*106 Ом.

Размеры D=3 мм; L=7,0 мм;

Масса не более 0,25г.

Ряд промежуточных  значений, допуск: Е24, Е96 с допусками  ±2, ±5, ±10%

Температура окружающей среды 0С от -60 до +155.

Предельное  рабочее напряжение постоянного  и переменного тока, В для 0,25 Вт равно 200 В.

Минимальная наработка для 0,25 Вт=20000ч.

Срок сохраняемости, лет=25.

 

 


 

 

 

 

Рисунок П.1

 

 

 

 

 

 

 

Приложение Б

Конденсаторы.

К53 – 18

 

Таблица П.1

 

Номинальное

Напряжение. В

Номинальная

емкость. мкФ

Размеры. мм

Масса, г. не более

D

   L

  d

 

        6; 6,5

 

             220

 

7

 

  16

 

0,8

 

    6


 

Таблица П.2

 

Номинальное

Напряжение. В

Номинальная

емкость. мкФ

Размеры. мм

Масса, г. не более

D

   L

  d

 

        6; 6,5

 

             100

 

7

 

  12

 

0,8

 

    4,5




 

 

 

 

 

 

К53 - 1

 

Таблица П.3

 

Номинальное

Напряжение. В

Номинальная

емкость. мкФ

Размеры. мм

Масса, г. не более

D

   L

  d

 

        6; 6,5

 

             1

 

3,2

 

  7,5

 

0,6

 

    1,5


 


 

 

 

 

Рисунок П.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение В

Транзисторы.

 

 

КТ972А:

Тип: n-p-n

Ширина: 7.8 мм

Высота: 27.6 мм

Ширина: 2.8 мм

 

Таблица П.4

 

Тип прибора

 

 

 

 

КТ972А

Предельные значения параметров

Значения параметров при ТП = 250 С

IK max (A)

 

 

 

4

При T = 250 C

РК mах (Вт)

 

 

 

8

ТП mах (0С)

 

 

 

150

Т mах (0С)

 

 

 

85

h21Э (б/р)

 

 

 

750

UКБ (B)

 

 

 

3

IКЭR (мA)

 

 

 

1

UКЭ нас (B) 

 

 

 

1.5

fгр (мГц)

 

 

 

200

UКЭR max (B)  

 

60

UКБО max (B)  

 

60

UЭБО max (B)  

 

5


 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок П.3

 

 КП934А:

-длинна: 27.1 мм

-ширина: 40.1 мм

-высота: 25.1 мм

 

Электрические параметры

 
Крутизна характеристики при Uси = 5 В, Iс = 5 А..................................................10...20*...80*А/В 
Ток утечки сток-исток при Rзи = 300 Ом, не более: 
Т = +25°С.............................................................................................................3 мА 
Т = +85°С.............................................................................................................5мА 
Ток утечки затвора при Uзи = -5 В, не более: 
Т = +25°С.............................................................................................................3 мА 
Т = +85°С.............................................................................................................5 мА 
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при Iс = 5 А, 
Iз = 1 А................................................................................................................0,03*...0,04*...0,1 Ом  
Время включения при Uси = 200 В, Ic = 5 А, Iз = 1 А....................................0,06*...0,07*...0,1 мкс 
Время рассасывания при Uси = 200 В, Iс= 5 А, Iз = 1 А......0,5*............................1,4*...2,5 мкс 
Время спада при Uси = 200 В, Iс = 5 А, Iз  = 1 А*.................................................0,02*...0,06*...0,1 мкс 
 
Предельные эксплуатационные данные

 
Постоянное напряжение сток-исток: 
КП934А..............................................................................................................450 В 
Постоянное напряжение затвор-исток.................................................................5 В 
Постоянный ток стока.........................................................................................10 А 
Импульсный ток стока при tи = 10 мкс, Q = 2 .....................................................15 А 
Постоянный ток затвора......................................................................................2 А 
Импульсный ток затвора при tи = 10 мс, Q = 2 ...................................................3 А 
Постояниоя рассеиваемая мощность при Тк = +25°С: 
с теплоотводом .................................................................................................40 Вт 
без теплоотвода................................................................................................2 Вт 
Температура окружающей среды......................................................................-45°С...Тк = +85°С

 


 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок П.4

 

 

 

 

 

 

Приложение  Г

Диоды.

1N4004:

Корпус: пластик литье 
Полярность: цветная отметка - катод 
Температура пайки: 250°С/10 сек. 
Вес: 0.35 г

- Тип диода:  выпрямительный диод

- Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 400

- Максимальный  прямой (выпрямленный за полупериод) ток, А: 1

- Максимальное  импульсное обратное напряжение, В: 480

- Максимальное  импульсное обратное напряжение, В: 30

- Рабочая  температура, С: -65…150

- Способ монтажа:  в отверстие

 

1N5819:

 

Корпус: пластик  литье

 

- Тип диода: диод Шоттки

- Максимальное постоянное обратное  напряжение, В: 40

- Максимальный прямой (выпрямленный  за полупериод) ток, А: 1

- Максимально допустимый прямой  импульсный ток, А: 25

- Максимальное импульсное обратное  напряжение, В: 48

- Рабочая температура, С: -65…+125

- Способ монтажа: в отверстие

 

 

КД226Д:

Электрические параметры:

 

- Постоянное прямое напряжение, при постоянном прямом токе 1,7 А: 1.4 В

- Время обратного восстановления, при прямом импульсном токе 1 А и обратном импульсном напряжении 20 В: 0.25 мкс

- Постоянный обратный ток: 0.05 мА

 

Предельные эксплуатационные данные:

- Максимальный средний прямой  ток, при частоте 35 кГц: 1.7 А

- Максимальное повторяющееся импульсное  обратное напряжение: 800 В

- Максимальное постоянное обратное  напряжение: 800 В

- Максимальная температура: 85 °C

 

 

 

 

         Рисунок П.5                                                                            Рисунок П.6

Приложение Д

Микроконтроллера ATtiny12L-4SU

Технические параметры  позиции  
ATtiny12L-4SU

Ядро

AVR

Разрядность

8

Тактовая частота, МГц

6

Объем ROM-памяти

1K

Объем RAM-памяти

64

Внутренний АЦП, кол-во каналов

6

Внутренний ЦАП, кол-во каналов

6

Таймер

1канал

Напряжение питания, В

4.0…5.5

Температурный диапазон, C

-40...+85

Тип корпуса

SO8



 

 

 

 

 

Рисунок П.7

Приложение Е

Стабилизатор  КР1158ЕН5В

Технические параметры  позиции  
КР1158ЕН5В

Тип

нерегулируемый

Выходное напряжение, В

5

Ток нагрузки, А

0.5

Тип корпуса

TO220

Максимальное входное напряжение, В

26

Температурный диапазон, C

-10…+70


 

Рисунок П.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение Ж

Микроамперметр  ЭА2230

Микроамперметры ЭА2230 предназначены  для встраивания в измерительную  и испытательную аппаратуру, служат для измерения силы постоянного  тока в электрических цепях стационарных и переносных устройств, эксплуатируемых  в закрытых неотапливаемых  помещениях.

 Микроамперметры ЭА2230 – приборы магнитоэлектрической  системы с креплением подвижной  части на растяжках. Рабочее  положение горизонтальное или  вертикальное.

Технические характеристики

 
Температура окружающего воздуха                                  от минус 50 до +60°С 

Относительная влажность воздуха                                    95 %   при температуре 35 °C

Масса                                                                                    0,15 кг

Габаритные размеры                                                           60х60х50 мм


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок П.9

 

 

Приложение  З

Кнопки

 

 

Q-1735 PBS-15C ~1,5A 250В 2C 13,0´11,0

вкл – (выкл),

цвет кнопки: 

кр,  зел

 

Рисунок П.10

 

Трансформатор

ТПК-2-9В

 

Основные  характеристики:

Максимальная  выходная мощность …..2,5 Вт;

Ток холостого  хода…………………….0,02 А;

Масса трансформатора………………..0,11 кг;

Тип магнитопровода……………пластинчатый

 

 


 

 

 

 

 

Рисунок П.11

 

 

 

 

Приложение И

Варианты  крепления навесных элементов на ПП

 

Все элементы схемы будут закреплены при помощи монтажа в отверстии. Согласно ОСТ 4 ГО.010.030-81 мы выберем следующие варианты установки:

 

  1. Резисторы R1, R2, R3, R4, R5; конденсатор VD1, VD2, VD3, VD7 будут установлены согласно варианту IIа.


Рисунок П.12

 

 

2.Конденсаторы C1, С2, C3; диоды VD4, VD5, VD6 будут установлены согласно варианту III.


 

 

Рисунок П.13

 

   3. Трансформатор Т1; транзисторы VT1, VT2; микроконтроллер DD1 и стабилизатор РА1 будут установлены согласно варианту VIIIа.

                                                                     

                                                  Рисунок П.14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Информация о работе Основы конструирования и технологии РЭС