Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые приборы начали развиваться бурными темпами. Транзистор был изобретен в 1948 г. в США. В 1955 г. в мире выпускалось 350 типов транзисторов, а в 1963 г. - уже 3000 типов. В 1956 г. только в США изготовлялось 14 млн. транзисторов в год, а в 1961 г. в Японии - 200 млн. транзисторов в год.
В нашей стране огромный вклад в развитие теории полупроводниковых приборов внесла школа академика А.Ф. Иоффе.
Полупроводниковые приборы не требуют подогрева, потребляют очень мало энергии, имеют малые габариты и вес.
В данном реферате рассматриваются диоды – одни из наиболее простых полупроводниковых приборов. Приводятся примерная классификация и их основные технические характеристики.

Введение
1. Основные характеристики и параметры диодов и классификация диодов……………………………………………………………………………..5
2. Выпрямительные диоды …………………...………………………………….7
3. Стабилитроны ………………………………………………………..………13
4. Туннельные и обращенные диоды.…………………………………………..15
5. Варикапы …………………………………..…………………………..……18
6. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами………..….19
Литература