Автор работы: Пользователь скрыл имя, 08 Апреля 2014 в 20:12, курсовая работа
Цель данной курсовой работы: разработка цифрового передатчика низовой радиосвязи.
В техническом задании подробно представлены все требования, необходимые для проектирования передатчика. Все шаги, для достижения поставленной цели курсовой работы последовательно описываются в нескольких частях, на которые разбит этот проект. В первой главе рассматриваются варианты структурных схем будущего устройства, в итоге, осуществляется выбор подходящей. Вторая глава содержит в себе подробное описание функциональной схемы разрабатываемого передатчика. В третьей главе рассчитываются параметры функциональных узлов передатчика, а также вычисляются требуемый общий коэффициент усиления для усилителя мощности и КПД ВКС.
Введение4
1 Выбор и обоснование структурной схемы передатчика 6
2 Разработка функциональной схемы 8
3 Расчет параметров функциональных узлов передатчика 10
4 Разработка электрической принципиальной схемы передатчика 12
4.1 Выбор модулятора14
4.2 Выбор микроконтроллера14
4.3 Выбор последовательного интерфейса связи16
4.4 Устройства ввода/вывода18
4.5 Усилитель мощности20
4.6 Выходная колебательная система21
5 Техническое описание передатчика 22
6 Электрический расчет оконечного каскада усилителя мощности 23
Заключение 27
Список литературы 28
Название |
Напряжение питания, В |
Напряжение изоляции, кВ |
esd-защита, кВ |
Скорость передачи данных |
Полный/ полудуплекс |
Количество узлов на шине |
ADM2682E |
+3,3; +5 |
5 |
15 |
16 Мбит/с |
полный, полу |
256 |
ADM2687E |
+3,3; +5 |
5 |
15 |
500 Кбит/с |
полный, полу |
256 |
ADM2582E |
+3,3; +5 |
2,5 |
15 |
16 Мбит/с |
полный, полу |
256 |
ADM2587E |
+3,3; +5 |
2,5 |
15 |
500 Кбит/с |
полный, полу |
256 |
В нашей системе будет использоваться ADM2582E, так как он нам подходит по всем требуемым параметрам (главным образом по скорости передачи).
Структурная схема AD2582Е приведена на рисунке 4.3.
Рисунок 4.3 – Структурная схема AD2582Е
Условное графическое изображение и назначение контактов представлены в Приложении В.
В качестве устройства ввода используется простая матричная клавиатура, т.к. кнопок для управления частотой много не потребуется.
Типичная схема подключения матричной клавиатуры к микроконтроллеру приведена на рисунке 4.4.
Рисунок 4.4 – Схема подключения матричной клавиатуры к микроконтроллеру
В качестве устройства вывода используется символьный дисплей WH0802A компании Winstar, выполненный на основе контроллера HD44780. Дисплеи на основе данного контроллера характеризуются возможностью подключения по четырехбитной шине с использованием только 4-х выводов хост-контроллера для прередачи данных. При этом, кроме 4-х выводов данных нужно будет подключить ещё сигнал E и RS. Вывод RW нужен для того, чтобы контроллер дисплея мог определить, записываем или считываем мы с него данные. Если на нём 0 – значит запись, а 1 – чтение. Поскольку читать какие-либо данные из дисплея не придется, его соединяют с землёй.
Структурная схема дисплея на основе HD44780 приведена на рисунке 4.5.
Рисунок 4.5 – Структурная схема дисплея на основе HD44780
Назначение контактов дисплея представлено в Приложении Г.
В системе будет использоваться узкополосный усилитель мощности, так как частотный диапазон удовлетворяет условию . Для активного элемента выбран граничный режим работы с углом отсечки θ = 900 исходя из рекомендуемых для ОФМ режимов работы [3]. Усиление мощности будет происходить в трех однотактных каскадах, построенных по схеме с общим эмиттером. Схема оконечного каскада, для которого будет проводиться расчет, приведена на рисунке 4.6.
Рисунок 4.6 – Оконечный каскад усилителя мощности
На приведенной схеме присутствует параллельная цепь автоматического смещения, с помощью неё легче обеспечивается развязка переменного и постоянного токов. Также данном случае применяется параллельная схема питания активного элемента, для которой характерно использование её совместно с фильтровыми и резонансными нагрузочными колебательными системами. К тому же в системе усиления для согласования каскадов по входному сопротивлению дополнительно применяются индуктивные и емкостные элементы, являющиеся также фильтровыми системами.
ВКС обеспечивает заданный уровень побочных излучений и является согласующим звеном с выходным сопротивлением 10 Ом. Однако для получения требуемого по заданию сопротивления на выходе, существует необходимость определения количества звеньев ВКС. Принято решение применить нечетное количество звеньев для создания инвертирующей ВКС.
В данной главе будет оценена минимальная требуемая добротность контуров, а также проверен такой параметр как уровень побочных излучений (-40 дБ). Уровень побочных излучений показывает: во сколько раз необходимо подавить вторую гармонику тока для работы только на первой. Расчет в этом случае будет сводиться лишь к отношению коэффициентов Берга, так как постоянные составляющие сокращаются при подстановке.
Для граничного режима работы и угла отсечки θ = 900 коэффициенты Берга для первой и второй гармоник равны:
,
(для одного звена).
Таким образом, используя 3 звена, можно с большим запасом обеспечить требуемый уровень побочных излучений.
Минимальная добротность:
Приведем параметры, требованиям которых должна удовлетворять стационарная радиоэлектронная аппаратура [4].
1) Прочность при синусоидальных вибрациях: | |
частота, Гц |
20 |
линейное ускорение, м/с2 |
19,6 |
время выдержки, ч, не менее |
0,5 |
2) Обнаружение резонансов в | |
диапазон частот, Гц |
10..30 |
амплитуда, мм |
0,5..0,8 |
время выдержки, мин, не менее |
0,4 |
3) Воздействие повышенной | |
влажность, % |
80 |
температура, К |
298 |
время выдержки, ч |
48 |
4) Воздействие пониженной | |
температура предельная, К |
233 |
температура рабочая, К |
278 |
время выдержки, ч |
2..6 |
5) Воздействие повышенной | |
температура предельная, К |
328 |
температура рабочая, К |
313 |
время выдержки, ч |
2..6 |
6) Воздействие пониженного атм. давления: | |
температура, К |
263 |
давление, кПа |
61 |
время выдержки, ч |
2..6 |
7) Прочность при | |
длительность ударного ускорения, мс |
5..10 |
частота, мин-1 |
40..80 |
максимальное линейное ускорение, м/с2 |
49..245 |
суммарное число ударов, не менее |
13000 |
8) Воздействие соляного (морского) тумана: | |
температура, К |
300 |
дисперсность, мкм |
1..10 |
водность, г/м3 |
2..3 |
время выдержки, ч |
24 |
Схема оконечного каскада усилителя мощности приведена на рисунке 4.6. При расчете используется методика, приведенная в [3, стр. 72].
Осуществим выбор транзистора, руководствуясь при этом такими параметрами как выходная мощность и частотный диапазон. Таким образом, был выбран биполярный транзистор КТ913Б [5, стр.704].
Подробный ход расчета представлен в Приложении Д. В данной главе приведены готовые результаты по пунктам применяемой методики.
Напряжение питания транзистора равно Ек = 28 В. Остальные параметры приведем по пунктам:
.
.
Предельный эксплуатационный параметр Екдоп в 60 В соблюдается:
.
.
.
.
.
.
.
.
В граничном режиме напряжение смещение равно напряжению отсечки. В нашем случае примем его равным Eсм = E’ = 0,6 В, что делает возможным определить сопротивление R14:
.
.
Далее проводится вычисление параметров для согласующих индуктивных и емкостных элементов. В виду того, что усилительные каскады схожи по своему строению, положим, что выходное сопротивление второго каскада усиления равно сопротивлению нагрузки, рассчитанному в пп.7 для третьего каскада. Для дальнейших расчетов используем методику, приведенную в [6, стр.94]. Подробный расчет приведен в Приложении Е. В данной главе приведены лишь рассчитанные значения параметров. Также для стандартизации полученных значений параметры приводятся к стандартному ряду Е24. Данные по рассчитанным и приведенным параметрам сводятся в таблицу 6.1.
Таблица 6.1
Элемент |
Расчетное значение |
Значение согласно ряду Е24 |
С23 |
4,4 пФ |
4,7 пФ |
С24 |
13,355 пФ |
15 пФ |
L8 |
55,3 нГн |
0,056 мкГн |
L9 |
0,578 мкГн |
0,62 мкГн |
L10 |
16,599 мкГн |
18 мкГн |
R14 |
12,766 Ом |
13 Ом |
C26 |
7,799 пФ |
8,2 пФ |
C27 |
93,75 нФ |
0,1 мкФ |
C28 |
584,34 пФ |
620 пФ |
L11 |
10,565 мкГн |
11 мкГн |
C29 |
584,34 пФ |
620 пФ |
Далее производится расчет ВКС, который сведен к поиску недостающих параметров емкостных и индуктивных элементов. Подробный расчет приведен в Приложении Ж, в данной главе приведены лишь итоговые результаты. Аналогично с расчитанными значениями каскада усиления, полученные результаты также приводятся к стандартному ряду Е24. На основе проведенного расчета и приведения данных строится таблица 6.2.
На рисунке 6.1 обозначены переменные, применяемые в расчете, а также на рисунке 6.2 изображены рассчитываемые элементы ВКС.
Рисунок 6.1
Рисунок 6.2
Таблица 6.2
элемент |
расчетное значение |
значение согласно ряду Е24 |
L12 |
8,967 нГн |
9,1 нГн |
C30 |
79,61 пФ |
82 пФ |
L13 |
1,99 нГн |
2,2 нГн |
L14 |
6,1544 нГн |
6,2 нГн |
C31 |
440,842 пФ |
470 пФ |
C32 |
478,232 пФ |
510 пФ |
C33 |
117 пФ |
120 пФ |
В выполненном курсовом проекте был разработан цифровой передатчик низовой радисвязи, удовлетворяющий требованиям технического задания согласно варианту №690.
В основу работы спроектированного передатчика заложен принцип прямого цифрового синтеза, который в данном случае реализовывается с использованием современных элементов зарубежного производства. Развитие предлагаемой компаниями-разработчиками элементной базы для построения радиопередающих систем создает тенденцию к повышению простоты и эффективности проектирования радиопередатчиков под самые разные нужды. Возрастает и информационная поддержка разработчиков компаниями-производителями. Так, например, к используемой в данном курсовом проекте микросхеме, осуществляющей квадратурную модуляцию и синтез частоты, компанией Analog Device предлагается на богатый выбор применить одну из готовых и описанных схем-решений управления упомянутым синтезатором. Это значительно упростило проектирование.
Важно отметить, что помимо цифровых устройств, пристальное внимание в проделанной работе было уделено также и аналоговой схемотехнике, а именно были рассчитаны оконечный каскад усилителя мощности и выходная колебательная система. Полученные данные представлены в таблицах, а в спецификации к принципиальной схеме приведены рекомендованные аналоги рассчитанных элементов.