Цифровой передатчик низовой радиосвязи
Автор работы: Пользователь скрыл имя, 08 Апреля 2014 в 20:12, курсовая работа
Краткое описание
Цель данной курсовой работы: разработка цифрового передатчика низовой радиосвязи.
В техническом задании подробно представлены все требования, необходимые для проектирования передатчика. Все шаги, для достижения поставленной цели курсовой работы последовательно описываются в нескольких частях, на которые разбит этот проект. В первой главе рассматриваются варианты структурных схем будущего устройства, в итоге, осуществляется выбор подходящей. Вторая глава содержит в себе подробное описание функциональной схемы разрабатываемого передатчика. В третьей главе рассчитываются параметры функциональных узлов передатчика, а также вычисляются требуемый общий коэффициент усиления для усилителя мощности и КПД ВКС.
Содержание
Введение4
1 Выбор и обоснование структурной схемы передатчика 6
2 Разработка функциональной схемы 8
3 Расчет параметров функциональных узлов передатчика 10
4 Разработка электрической принципиальной схемы передатчика 12
4.1 Выбор модулятора14
4.2 Выбор микроконтроллера14
4.3 Выбор последовательного интерфейса связи16
4.4 Устройства ввода/вывода18
4.5 Усилитель мощности20
4.6 Выходная колебательная система21
5 Техническое описание передатчика 22
6 Электрический расчет оконечного каскада усилителя мощности 23
Заключение 27
Список литературы 28
Вложенные файлы: 13 файлов
перечень 12.cdw
— 65.60 Кб (Скачать файл)перечень.cdw
— 247.06 Кб (Скачать файл)ПЗ-ммм.docx
— 1.89 Мб (Скачать файл)Таким образом, при написании курсовой работы, были закреплены знания по принципам функционирования передающих устройств и навыки их проектирования.
Список литературы
- Сайт компании Analog Devices. – http:// www.analog.com/en/index.html.
- Сайт магазина радиоэлектронных компонентов «Чип и Дип». – http://www.chipdip.ru/.
- Радиопередающие устройства: учебник для вузов / В. В. Шахгильдян, В. Б. Козырев, А. А. Ляховкин и др.; под ред. В. В. Шахгильдяна. – М.: Радио и связь, 2003. – 560 с.
- Чернышев, А. Ю. Устройства генерирования и формирования сигналов: методические указания к курсовому проектированию для студентов специальностей 210302.65, 210303.65, 210405.65 и направлений 210300.62, 210400.62 / сост. А. Ю. Чернышев. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2008. – 40 с.
- Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник / В. Л. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. – 2-е изд., перераб. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 904 с.
- Рэд, Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике: Схемы, блоки, 50-омная техника / Э. Рэд. Пер. с нем. – М.: 1990. – 256 с.
Приложение
Приложение А
Цифровой модулятор AD9957
Рисунок А.1 – Расположение выводов AD9957
Назначения выводов приведены в таблице А.1
Таблица А.1 – Назначения выводов AD9957
Окончание таблицы А.1
Приложение Б
Микроконтроллер ADSP-BF533
Таблица Б.1 – Назначения выводов ADSP-BF533
Продолжение таблицы Б.1
Окончание таблицы Б.1
Рисунок Б.1 – Расположение контактов 160-Ball CSP_BGA Ball (вид сверху)
Рисунок Б.2 – Расположение контактов 160-Ball CSP_BGA Ball (вид снизу)
Таблица Б.2 – Соответствие номеров контактов их назначению
Окончание таблицы Б.2
Приложение В
Последовательный порт RS-485
Рисунок В.1 – Расположение выводов ADM2582E
Таблица В.1 – Назначение выводов ADM2582E
Приложение Г
Дисплей WH0802A
Таблица Г.1 – Назначение выводов WH0802A
Приложение Д
Расчет параметров работы транзистора
Используемые для расчета параметры:
; ;
; ; ; ; ; .
- коэф. использ. колл. напр. в граничном режиме:
; .
- амплит. напряжения на коллекторе: В.
- ампл. первой гарм. тока: А.
- ПС колл. тока: А.
- Потребл. мощность: Вт.
- КПД: .
- сопротивл. нагрузки: Ом.
- ампл. тока возбуждения: Гц (не умножаем на 2Pi, т.к. сократится в процессе вычислений); ; Гц (аналогично не умножаем на 2Pi);
;
А.
- напряжен. на вх. и напряжен. смещения: Ом; Ом;
; ; ;
=> В; => Ом.
- мощн. рассеив. на колл.: P0 = 4,6032; Pк = P0 – P1 = 1,0612 Вт.
Приложение Е
Расчет параметров согласующих индуктивных и емкостных элементов
Ом; Гц; Q = 10.
Используем методику [6, стр.94]:
; ;
; Ф;
; Ф;
Гн (в параметрах транзистора); ;
; Гн;
;
;
Ом; Гн;
Ф;
Ом; Ф.
Гн.
Приложение Ж
Расчет ВКС
Ом; ;
Ом; ; Ом; ;
Гц; ;
; ; ;
Гн; Ф;
;
Гн; Ф; ;
Гн; Ф; ;
Ф;
Ф.