Просвечивающая электронная микроскопия

Рисунок 3 – Конфигурация полюсного наконечника высокоразрешающего объектива электронного микроскопа Siemens-102 [4].

В этой удачной промышленной конструкции диаметр отверстия  верхнего полюсного наконечника 2R1=9 мм, диаметр отверстия нижнего  полюсного наконечника 2R2=3 мм и межполюсный зазор S=5 мм (R1, R2 и S определены на рис.2): 1 – объектодержатель, 2 – столик образца, 3 – образец, 4 – объективная диафрагма, 5 – термисторы, 6 – обмотка линзы, 7 – верхний полюсный наконечник, 8 – охлаждаемый стержень, 9 – нижний полюсный наконечник, 10 – стигматор, 11 – каналы системы охлаждения, 12 – охлаждаемая диафрагма

В колонне микроскопа с  помощью вакуумной системы откачки  создается относительно низкое давление, примерно 10-5 мм рт. ст. На это уходит довольно много времени. Чтобы ускорить подготовку прибора к работе, к камере объектов присоединяется специальное устройство для быстрой смены объекта. В микроскоп при этом попадает лишь очень небольшое количество воздуха, которое удаляется вакуумными насосами. Смена образца обычно занимает 5 мин.

Изображение. При взаимодействии электронного пучка с образцом электроны, проходящие вблизи атомов вещества объекта, отклоняются в направлении, определяемом его свойствами. Этим главным образом  и обусловлен видимый контраст изображения. Кроме того, электроны могут еще  претерпеть неупругое рассеяние, связанное  с изменением их энергии и направления, пройти через объект без взаимодействия или быть поглощенными объектом. При поглощения электронов веществом возникает световое или рентгеновское излучение либо выделяется тепло. Если образец достаточно тонок, то доля рассеянных электронов невелика. Конструкции современных микроскопов позволяют использовать для формирования изображения все эффекты, возникающие при взаимодействии электронного луча с объектом.

Электроны, прошедшие через  объект, попадают в объективную линзу (9), предназначенную для получения  первого увеличенного изображения. Объективная линза – одна из наиболее важных частей микроскопа, "ответственная" за разрешающую способность прибора. Эта связано с тем, что электроны  входят под сравнительно большим  углом наклона к оси и вследствие этого даже незначительные аберрации  существенно ухудшают изображение  объекта.

Рисунок 4 – Образование  первого промежуточного изображения  объективной линзой и эффект аберрации [5].

Окончательное увеличенное  электронное изображение преобразуется  в видимое посредством люминесцентного  экрана, который светится под действием  электронной бомбардировки. Это изображение, обычно слабоконтрастное, как правило, рассматривают через бинокулярный световой микроскоп. При той же яркости такой микроскоп с увеличением 10 может создавать на сетчатке глаза изображение, в 10 раз более крупное, чем при наблюдении невооруженным глазом. Иногда для повышения яркости слабого изображения применяется люминофорный экран с электронно-оптическим преобразователем. В этом случае окончательное изображение может быть выведено на обычный телевизионный экран, что позволяет записать его на видеоленту. Видеозапись применяется для регистрации изображений, меняющихся во времени, например, в связи с протеканием химической реакции. Чаще всего окончательное изображение регистрируется на фотопленке или фотопластинке. Фотопластинка обычно позволяет получить более четкое изображение, чем наблюдаемое простым глазом или записанное на видеоленте, так как фотоматериалы, вообще говоря, более эффективно регистрируют электроны. Кроме того, на единице площади фотопленки может быть зарегистрировано в 100 раз больше сигналов, чем на единице площади видеоленты. Благодаря этому изображение, зарегистрированное на фотопленке, можно дополнительно увеличить примерно в 10 раз без потери четкости.

Электронные линзы, как магнитные, так и электростатические, несовершенны. Они имеют те же дефекты, что и  стеклянные линзы оптического микроскопа – хроматическая, сферическая аберрация  и астигматизм. Хроматическая аберрация  возникает из-за непостоянства фокусного  расстояния при фокусировке электронов с различными скоростями. Эти искажения  уменьшают, стабилизируя ток электронного луча и ток в линзах.

Сферическая аберрация обусловлена  тем, что периферийные и внутренние зоны линзы формируют изображение  на разных фокусных расстояниях. Намотку  катушки магнита, сердечник электромагнита и канал в катушке, через который  проходят электроны, нельзя выполнить  идеально. Асимметрия магнитного поля линзы приводит к значительному  искривлению траектории движения электронов.

Работа в режимах микроскопии  и дифракции. Затененные области  отмечают ход эквивалентных пучков в обоих режимах [5].

Если магнитное поле несимметрично, то линза искажает изображение (астигматизм). То же самое можно отнести и  к электростатическим линзам. Процесс  изготовления электродов и их центровка  должны быть в высокой степени  точны, ибо от этого зависит качество линз.

В большинстве современных  электронных микроскопов нарушения  симметрии магнитных и электрических  полей устраняют с помощью  стигматоров. В каналы электромагнитных линз помещают небольшие электромагнитные катушки, изменяя ток, протекающий через них, они исправляют поле. Электростатические линзы дополняют электродами: подбирая потенциал, удается компенсировать асимметрию основного электростатического поля. Стигматоры весьма тонко регулируют поля, позволяют добиваться высокой их симметрии.

Рисунок 5 – Ход лучей  в электронном микроскопе просвечивающего  типа

В объективе есть еще два  важных устройства – апертурная диафрагма и отклоняющие катушки. Если в формировании конечного изображения участвуют отклоненные (дифрагированные) лучи, то качество изображения будет плохим вследствие сферической аберрации линзы. В объективную линзу вводят апертурную диафрагму с диаметром отверстия 40 – 50 мкм, которая задерживает лучи, дифрагированные под углом более 0,5 градуса. Лучи, отклоненные на небольшой угол, создают светлопольное изображение. Если апертурной диафрагмой заблокировать проходящий луч, то изображение формируется дифрагированным лучом. Оно в этом случае получается в темном поле. Однако метод темного поля дает менее качественное изображение, чем светлопольный, поскольку изображение формируется лучами, пересекающимися под углом к оси микроскопа, сферическая аберрация и астигматизм проявляются в большей степени. Отклоняющие же катушки служат для изменения наклона электронного луча. Для получения окончательного изображения нужно увеличить первое увеличенное изображение объекта. Для этой цели применяется проекционная линза. Общее увеличение электронного микроскопа должно меняться в широких пределах, от небольшого соответствующего увеличению лупы (10, 20), при котором можно исследовать не только часть объекта, но и увидеть весь объект, до максимального увеличения, позволяющего наиболее полно использовать высокую разрешающую способность электронного микроскопа (обычно до 200000). Здесь уже недостаточно двухступенчатой системы (объектив, проекционная линза). Современные электронные микроскопы, рассчитанные на предельную разрешающую способность, должны иметь по крайней мере три увеличивающие линзы – объектив, промежуточную и проекционную линзы. Такая система гарантирует изменение увеличения в широком диапазоне (от 10 до 200000).

Изменение увеличения осуществляется регулировкой тока промежуточной линзы.

Еще один фактор, способствующий получению большего увеличения, –  изменение оптической силы линзы. Чтобы  увеличить оптическую силу линзы, в  цилиндрический канал электромагнитной катушки вставляют специальные  так называемые "полюсные наконечники". Они изготовляются из мягкого  железа или сплавов е большой  магнитной проницаемостью и позволяют  сконцентрировать магнитное поле в  небольшом объеме. В некоторых  моделях микроскопов предусмотрена  возможность смены полюсных наконечников, таким образом добиваются дополнительного увеличения изображения объекта.

На конечном экране исследователь  видит увеличенное изображение  объекта. Различные участки объекта  по-разному рассеивают падающие на них электроны. После объективной  линзы (как уже указывалось выше) будут фокусироваться только электроны, которые при прохождении объекта  отклоняются на малые углы. Эти  же электроны фокусируются промежуточной  и проекционной линзами на экране для конечного изображения. На экране соответствующие детали объекта  будут светлые. В том случае, когда электроны при прохождении участков объекта отклоняются на большие углы, они задерживаются апертурной диафрагмой, расположенной в объективной линзе, и соответствующие участки изображения будут на экране темными.

Изображение становится видимым  на флюоресцентном экране (светящимся под действием падающих на него электронов). Фотографируют его либо на фотопластинку, либо на фотопленку, которые расположены на несколько сантиметров ниже экрана. Хотя пластинка помещается ниже экрана, благодаря тому что электронные линзы имеют довольно большую глубину резкости и фокуса, четкость изображения объекта на фотопластинке не ухудшается. Смена пластинки – через герметичный люк. Иногда применяют фотомагазины (от 12 до 24 пластинок), которые устанавливают также через шлюзовые камеры, что позволяет избежать разгерметизации всего микроскопа.

Разрешение. Электронные  пучки имеют свойства, аналогичные  свойствам световых пучков. В частности, каждый электрон характеризуется определенной длиной волны. Разрешающая способность  электронного микроскопа определяется эффективной длиной волны электронов. Длина волны зависит от скорости электронов, а следовательно, от ускоряющего напряжения; чем больше ускоряющее напряжение, тем больше скорость электронов и тем меньше длина волны, а значит, выше разрешение. Столь значительное преимущество электронного микроскопа в разре-

шающей способности объясняется тем, что длина волны электронов намного меньше длины волны света. Но поскольку электронные линзы не так хорошо фокусируют, как оптические (числовая апертура хорошей электронной линзы составляет всего лишь 0,09, тогда как для хорошего оптического объектива эта величина достигает 0,95), разрешение электронного микроскопа равно 50 – 100 длинам волн электронов. Даже со столь слабыми линзами в электронном микроскопе можно получить предел разрешения около 0,17 нм, что позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Для достижения разрешения такого порядка необходима очень тщательная настройка прибора; в частности, требуются высокостабильные источники питания, а сам прибор (который может быть высотой около 2,5 м и иметь массу в несколько тонн) и его дополнительное оборудование требуют монтажа, исключающего вибрацию.

Для достижения разрешения по точкам лучше чем 0,5 нм необходимо поддерживать прибор в отличном состоянии и, кроме того, использовать микроскоп, который специально предназначен для работ, связанных с получением высокого разрешения. Нестабильность тока объективной линзы и вибрации объектного столика следует свести к минимуму. Исследователь должен быть уверен, что в полюсном наконечнике объектива отсутствуют остатки объектов, оставшихся от предыдущих исследований. Диафрагмы должны быть чистыми. Микроскоп следует устанавливать в месте, удовлетворительном с точки зрения вибраций, посторонних магнитных полей, влажности, температуры и пыли. Постоянная сферической аберрации должна быть меньше 2 мм. Однако самыми важными факторами при работе с высоким разрешением являются стабильность электрических параметров и надежность микроскопа. Скорость загрязнения объекта должна быть меньше, чем 0,1 нм/мин, и это особенно важно для работы с высоким разрешением в темном поле.

Температурный дрейф должен быть минимальным. Для того чтобы  свести к минимуму загрязнение и  максимально увеличить стабильность высокого напряжения, необходим вакуум причем его следует измерять в  конце линии откачки. Внутренность микроскопа, в особенности объем  камеры электронной пушки, должны быть скрупулезно чистыми.

Удобными объектами для  проверки микроскопа являются тест-объекты с маленькими частичками частично графитизированного угля, в которых видны плоскости кристаллической решетки. Во многих лабораториях такой образец всегда держат под рукой, чтобы проверять состояние микроскопа, и каждый день, прежде чем начать работу с высоким разрешением, на этом образце получают четкие изображения системы плоскостей с межплоскостным расстоянием 0,34 нм, используя держатель образца без наклона. Такая практика проверки прибора настоятельно рекомендуется. Больших затрат времени и энергии требует поддержание микроскопа в наилучшем состоянии. Не следует планировать исследования, требующие высокого разрешения, до тех пор пока не обеспечено поддержание состояния прибора на соответствующем уровне, и, что еще более важно, до тех пор пока микроскопист не вполне уверен, что результаты, полученные с помощью изображений высокого разрешения, оправдают затраченные время и усилия.

Современные электронные  микроскопы оборудуются рядом приспособлений. Весьма важна приставка для изменения  наклона образца во время наблюдения (гониометрическое устройство). Так  как контраст изображения получается главным образом за счет дифракции  электронов, то даже малые

наклоны образца могут  существенно влиять на него. Гониометрическое устройство имеет две взаимно  перпендикулярные оси наклона, лежащие  в плоскости образца, и приспособленные  для его вращения на 360°. При наклоне  устройство обеспечивает неизменность положения объекта относительно оси микроскопа. Гониометрическое устройство также необходимо при получении  стереоснимков для изучения рельефа поверхности излома кристаллических образцов, рельефа костных тканей, биологических молекул и т. п.

Стереоскопическая пара получается съемкой в электронном микроскопе одного и того же места объекта  в двух положениях, когда он повернут на небольшие углы к оси объектива (обычно ±5°).

Интересная информация об изменении структуры объектов может  быть получена при непрерывном наблюдении за нагревом объекта. С помощью приставки  удается изучить поверхностное  окисление, процесс разупорядочения, фазовые превращения в многокомпонентных  сплавах, термические превращения  некоторых биологических препаратов, провести полный цикл термической обработки (отжиг, закалка, отпуск), причем с контролируемыми  высокими скоростями нагрева и охлаждения. Вначале были разработаны устройства, которые герметично присоединялись к камере объектов. Специальным механизмом объект извлекался из колонны, термообрабатывался, а затем вновь помещался в камеру объектов. Преимущество метода – отсутствие загрязнения колонны и возможность длительной термообработки.

В современных электронных  микроскопах имеются устройства для нагревания объекта непосредственно  в колонне. Часть объектодержателя окружена микропечью. Нагрев вольфрамовой спирали микропечек осуществляется постоянным током от небольшого источника. Температура объекта изменяется при изменении тока нагревателя и определяется по градуировочной кривой. В устройстве сохраняется высокое разрешение при нагреве вплоть до 1100°С – порядка 30 Å.

В последнее время разработаны  устройства, позволяющие нагревать  объект электронным пучком самого микроскопа. Объект располагается на тонком вольфрамовом диске. Диск нагревается расфокусированным электронным лучом, небольшая часть которого проходит через отверстие в диске и создает изображение объекта. Температуру диска можно менять в широких пределах, изменяя его толщину и диаметр электронного луча.

Есть в микроскопе и  столик для наблюдения объектов в  процессе охлаждения до –140° С. Охлаждение – жидким азотом, который заливается в сосуд Дьюара, соединенный со столиком специальным хладопроводом. В этом устройстве удобно исследовать некоторые биологические и органические объекты, которые без охлаждения под воздействием электронного луча разрушаются.

С помощью приставки для  растяжения объекта можно исследовать  движение дефектов в металлах, процесс  зарождения и развития трещины в  объекте. Создано несколько типов  подобных устройств. В одних использовано механическое нагружение перемещением захватов, в которых крепится объект, или передвижением нажимного стержня, в других – нагрев биметаллических пластин. Образец приклеивается или крепится захватами к биметаллическим пластинам, которые расходятся в стороны, когда их нагревают. Устройство позволяет деформировать образец на 20% и создавать усилие в 80 г.