Роль отраслей микроэлектроники в современной экономике Японии

     Процесс консолидации особенно характерен для тайваньской промышленности микросхем оперативной памяти, представленной средними и мелкими компаниями. Правда, консолидация здесь не всегда проходит гладко. Так, компании Powerchip, ProMOS и Rexchip предполагали объединиться с Taiwan Memory Corp (которая формировалась по инициативе правительства), недавно переименованной в Taiwan Innovation Memory Co. (TIMC), в совместное предприятие с целью увеличения номенклатуры своей продукции и расширения НИОКР в области микросхем памяти. При этом технологическим партнером TIMC должна была стать Elpida Memory (Япония). Однако в связи с ростом цен на ДОЗУ до уровня, обеспечивающего покрытие производственных издержек большинства изготовителей, как консолидация мелких поставщиков в рамках нового СП, так и переговоры с технологическими партнерами были затруднены. В ноябре 2009 года при первых признаках ста¬билизации рынка тайваньский парламент отклонил запрос правительства о выделении 1,5 млрд. долл. на формирование этого предприятия . По-видимому, отказ от поддержки этого СП приведет к тому, что малые и средние поставщики ДОЗУ не смогут выжить, особенно в условиях высокой нестабильности рынка. Действительно, по мере перехода крупных изготовителей к освоению производства микросхем памяти следующих поколений и снижения своих издержек, малые производители вновь окажутся в невыгодных условиях. Но тогда думать о слиянии или о продаже акций, очевидно, будет слишком поздно.

     Содружество Nanya Technology/Inotera Memories, сумев¬шее при  поддержке Formosa Plastics Group привлечь достаточно средств для освоения 50-нм технологии, рассчитывает при поддержке компании Micron Technology продолжить технологические разработки как 50-нм технологии, так и освоить производство новых изделий с 40-нм проектными нормами.

     С технологической точки зрения главной тенденцией на рынке ДОЗУ будет переход к массовому производству новых синхронных DDR3 ДОЗУ, которые со второго квартала 2010 года должны доминировать на рынке и превзойти по объему про¬даж лидирующие до сих пор в качестве основного типа па¬мяти ПК синхронные DDR2 ДОЗУ. Доля общей емкости отгружаемых микросхем DDR3 памяти во втором квартале 2010 года составит 50,9% против 1% во втором квартале 2008 года (табл.2). В конце 2010 года этот показатель может увеличить¬ся до 71%. Это объясняется тем, что DDR3 СДОЗУ превосхо¬дят DDR2 схемы по скорости передачи данных на 50%, а их потребляемая мощность на 30% ниже. Пользователям ПК это, прежде всего, позволит увеличить быстродействие, а пользо¬вателям ноутбуков - еще и увеличить срок службы батарей.

     К основным факторам, подталкивающим промышленность к переходу к DDR3 СДОЗУ, помимо совершенствования их технологии, можно отнести появление новых многоядерных микропроцессоров компании Intel. Так, последнее поколение микропроцессорной архитектуры Nehalem компании предусматривает наличие контроллера памя¬ти, поддерживающего только память DDR3. Однако несмотря на то, что стоимость DDR2 для изготовителей ПК в последние месяцы 2009 года росла из-за ограниченного их предложения, эти схемы до конца 2010 года сохранят хотя и сокращающуюся, но значительную долю рынка. Этот фактор и, конечно, мировая рецессия привели к тому, что высказанное ранее мнение многих производителей микросхем памяти, в том числе и ведущего поставщика - компании Samsung Electronics, - согласно которому DDR3 может стать основным типом технологии памяти уже к концу 2009 года, не оправдалось.

     Итак, как в полупроводниковой промышленности в целом, так и в секторе микросхем памяти наблюдается тенденция к консолидации. Возникает вопрос: а возможно ли в современных условиях выйти на рынок полупроводниковых приборов в качестве серьезного игрока?

     Попытки наладить производство полупроводниковых приборов с целью освоения высоких технологий и захвата час¬ти рынка вслед за американскими, европейскими и японскими компаниями с начала 1980-х годов предпринимали тайваньские, южнокорейские, сингапурские, китайские, малазийские изготовители и представители ряда других стран. Достаточно условно (по первым этапам) можно выделить две стратегии выхода на рынок - формирование специализированных структур и покупка уже существующей компании. Первый подход, как правило, ориентирован на развитие новой отрасли национальной экономики, а второй до последнего времени был связан с локальными коммерческими проектами.

     Наиболее  яркий пример первого подхода - создание в середине 1980-х годов научно-промышленного парка Син-чу в северной части Тайваня. В экологически благоприятном районе за счет государства была создана необходимая инфраструктура, правительство приняло пакет мер по стимулированию развития производственной базы и реализации программ НИОКР, в том числе с участием иностранных фирм и государственных научно-исследовательских организаций. Интересно отметить, что часть первых отечественных компаний "отпочковались" от государственного Института промышленно-технологических исследований (ITRI). Точнее, предприятия были созданы на базе опытных мощностей по завершении конкретных программ НИОКР. К таким компаниям относятся UMC (первый завод начал работать в 1979 году), TSMC (первый завод и центр конструирования появились в 1986 году), Vanguard International Semiconductor Corp., VIS и т.п. Например, компания VIS была основана в декабре 1994 года на базе лаборатории ITRI, где была отработана субмикронная технология изготовления микросхем на 200-мм пластинах. Доля тайваньского правительства в компании VIS составила 32%, остальные 68% пришлись на долю консорциума, в который вошли 17 компаний во главе с TSMC (26% акций). Первоначальная капитализация компании VIS была равна 600 млн. долл.

     До  конца 1990-х годов на Тайване было создано еще два научно-промышленных парка, в которых, помимо вопросов проектирования и производства микросхем, большое внимание уделялось разработке функциональных узлов и электронных систем, а также МЭМС и нанотехнологиям. Таким образом, на Тайване расположены два крупнейших кремние¬вых завода (TSMC и UMC), на долю которых в 2009 году при¬шлось более 62% мирового объема рынка услуг кремниевых заводов. Кроме того, на острове работает ряд изготовителей микросхем оперативной памяти, логических устройств и других приборов. Электронная промышленность острова занимает устойчивые позиции в области производства мате¬ринских и печатных плат, ЖК-дисплеев/панелей и т.п.

     Тайвань дал хороший пример и второго  подхода: в 1999 году созданная тайваньскими предпринимателями в Кремниевой Долине компания VIA Technologies купила отделения Cyrix и Centaur корпорации National Semiconductor и вышла на рынок микропроцессоров. Сейчас VIA Technologies занимает третье место (после Intel и AMD) в секторах микропроцессоров для настольных и мобильных ПК (0,3% и 0,4% соответственно).

     В последние три-пять лет наиболее крупными и значи¬мыми программами, нацеленными на выход на мировой  рынок полупроводниковых приборов, стали индийский проект создания «Города заводов» (Fab City), проект «Дубайс- кий кремниевый оазис» (ОАЭ), а также образование корпорации GlobalFoundries.

     Проект Fab City (2005-2008 годы) появился в связи с намерением Индии развивать местную полупроводниковую промышленность. По оценкам индийской ассоциации полупроводниковой промышленности (ISA), рынок электронной продукции страны к 2015 году должен достичь 363 млрд. долл. при среднегодовых темпах прироста в период 2007-2014 годы ~30%. В 2005 году доход электронной промышленности Индии в целом составил 3,2 млрд. долл. В структуре затрат на проектирование микро¬схем приходилось 18%, на печатные платы - 4%, на разработку ПО (особенно встраиваемого, где у Индии традиционно сильные позиции) - 48%. К 2015 году, согласно оценкам, доход электронной промышленности увеличится до 43 млрд. долл. Производство электронных систем в стране за период 2005-2015 годы увеличится с 10,99 млрд. до 155 млрд. долл. Наибольшие темпы роста будут наблюдаться для средств связи, информационных систем и бытовой электроники. Таким образом, существовали хорошие условия для развития местного производства ИС.

     Предполагалось, что Индия не приступит сразу к изготовлению 90- или 65-нм схем, а начнет собственное производство микросхем с проектными нормами 0,18- или 0,13-мкм. При этом в первую очередь планировалось наращивать проектирование конечных электронных систем и микросхем типа система на кристалле. Задача проекта Fab City заключалась в том, чтобы к концу 2009 года Индия стала "самодостаточной" в области производства полупроводниковых приборов. Согласно проекту, который воплощал в жизнь консорциум SemIndia, в Хайдарабаде должны были быть построены заводы по обработке 200- и 300-мм пластин по технологиям компании AMD. Переговоры с местными властями о строительстве новейшего завода по производству и тестированию микросхем вела и компания Intel. Несколько тайваньских компаний также проявили интерес к освоению производства полупроводниковых приборов в Индии  [15].

     С целью поощрения изготовителей  полупроводниковых приборов, ЖК-дисплеев, солнечных элементов и другой продукции электроники за счёт создания новых производственных мощностей, предприятий и т.п. Министерство связи и информационных технологий Индии в сентябре 2007 года подготовило "Программу специальных мер комплексного стимулирования" (Special Incentive Package Scheme, SIPS). Согласно этой программе, правительство должно в течение 10 лет компен¬сировать 20% затрат производителей, заводы которых расположены в специальной экономической зоне. Пороговый объем инвестиций, необходимых для получения этих льгот, составлял ~600 млн. долл. для поставщиков микросхем и 250 млн. долл. для изготовителей других изделий. При этом предусматри¬вался полный цикл изготовления микросхем. Заводы по производству ЖК-дисплеев, плазменных панелей, солнечных элементов и т.п. рассматривались как "экосистемные" подразделения. Заявки на одобрение правительству представлял оценочный комитет SIPS. Рассматривались заявки только тех компаний, которые могли привлечь инвестиции. Считалось, что SIPS может сыграть такую же роль в развитии производства электроники в Индии, как и программа «Индийские парки программного обеспечения» (Software Parks of India), проводившаяся с 1992 года с целью увеличения экспорта ПО. Эта про¬грамма позволила в сжатые сроки увеличить сложность ПО и многократно нарастить объемы его экспорта.

     Поначалу  программа SIPS развивалась успешно. Инвесторы наметили простую стратегию развития консорциума SemIndia: сначала превратить одно из его ведущих отделений - SemIndia Systems - в прибыльное предприятие. Это был первый индийский изготовитель, который в первый же год поставил на рынок более 1 млн. широкополосных модемов ADSL2+. Его годовой доход в 2007 году превысил 25 млн. долл., а в 2008-м - 80 млн. долл. Однако компании, вошедшие в консорциум, так и не выработали четкой стратегии развития производственных мощностей. Полупроводниковая промышленность - очень динамичная и циклично развивающаяся капиталоемкая отрасль, с периодическими спадами, и вовлеченные в нее компании должны управлять своими инвестици¬ями, размещением производственных мощностей, созданием новых заводов и снятием с производства устаревших технологий в как можно более сжатые сроки. Но компании консорциума так и не поняли, как управлять этой динамичной промышленностью Индии. Кроме того, затраты на проводимую концерном SemIndia программу в октябре 2005 года, составлявшие 3 млрд. долл., к 2008-му возросли до 7 млрд. долл. Перед производителями встал вопрос: зачем тратить такие деньги на создание чего-то с нуля, при этом с элементом риска, когда за те же деньги можно купить уже функционирующего изготовителя микросхем? Правда, ни одну западную полупроводниковую компанию они так и не купили. Да, программа SIPS предусматривала ряд существенных льгот, включая госу¬дарственные дотации в объеме 25%-ных капиталовложений в заводы по обработке пластин, не расположенные в специальных экономических зонах, и 20% - в заводы, входящие в такие зоны. Однако форма их предоставления оказалась слишком туманной. Индийское правительство постоянно задерживало оглашение правил игры (подробности о финансовой политике программы появились только через полгода после ее презентации), а условия формирования и введения в силу пакета мер по стимулированию развития микроэлектроники не были точно сформулированы. Кроме того, не был рассмотрен вопрос поощрения промышленных НИОКР - одного из основных условий развития местной промышленности. К тому же, индийские производители не нашли такие изделия, которые не могли бы поставлять на мировой рынок китайские изготовители. И после того, как Intel в конце 2007 года объявила о планах создания в КНР завода по изготовлению микросхем на 300-мм пластинах по 65-нм технологии (завод уже действует), большинство экспертов сошлось в мнении, что «индийская мечта о крупных полупроводниковых предприятиях мертва». Часть мощностей, сооружение которых было начато, были перепрофилированы на выпуск солнечных элементов и другой фотоэлектрической продукции.

     То  же произошло и с другим заводом, который планировала построить компания India Electronics Manufacturing Corp. (IEMC). Южнокорейский инвестор - фирма June Min - отказалась от планов ввода в строй завода по выпуску полупроводниковых приборов в Хайдарабаде в пользу создания там же производства фотоэлектрической продукции. Компания Hindustan Semiconductor Manufacturing Corp. (HSMC) и ее партнер, Infineon Technologies, объявившие в 2007 году о намерении инвестировать в первую фазу строительства в Индии полупроводникового завода 1 млрд. долл., так и не подали официальную заявку правительству на получение льгот в соответствии с программой SIPS. Правда, по итогам успешного для корпорации GlobalFoundries 2009 года в Индии снова заговорили о создании собственного современного полупроводникового производства.

     Успешнее  закончились попытки Объединенных Арабских Эмиратов освоить современное полупроводниковое производство. В вопросах обороны, безопасности, внешней политики, крупных инвестиционных программ и ряде других аспектов Эмираты проводят единую политику, объединяя свои ресурсы. Одним из таких аспектов является освоение высоких технологий с целью ослабления зависимости экономики ОАЭ от экспорта нефти и обеспечения перспектив развития, и здесь наиболее активно действуют эмираты Абу-Даби и Дубай. Впервые ОАЭ попытались выйти на рынок полупроводниковых приборов с помощью компании Intel. В рамках совместных работ с инвестиционными институтами эмирата Дубай на территории земли Бранденбург предполагалось создать предприятие по освоению SiGe-технологии стоимостью 1,5 млрд. долл. Но начатое в феврале 2002 года строительство было законсервировано и возведенные корпуса предприятия так и не были оснащены. Так что ни в 2003 году, ни позднее завод работать не начал.

     Следующим шагом прорыва ОАЭ в высокие  технологии стала реализация в 2004-2006 годы проекта по созданию «Дубайского кремниевого оазиса» (Dubai Silicon Oasis, DSO). Этот технологический парк общей площадью в 7,2 млн. м2 был ориентирован на разработку и производство микро¬схем и полупроводниковых приборов. Девиз проекта: «Построй, и они сами придут». Общая стоимость проекта составляла 1,3 млрд. долл. Для привлечения в парк иностранных компаний высокой технологии и квалифицированных кадров был установлен безналоговый режим и ряд дополнительных льгот. Так, на первом этапе сооружения парка, завершившемся в 2007 году и стоившим 300 млн. долл., привлекаемым в парк разрабатывающим компаниям (fabless) и группам разработчиков бесплатно предоставлялись (для совместного пользования) лицензии на инструментальные средства САПР, закупленные на государствен¬ные средства у компаний Mentor Graphics, Synopsys и дру¬гих. В целом, в рамках первого этапа в DSO был сформирован комплекс центров по проектированию микросхем, МЭМС, конечных систем, а также разработки ПО. Кроме того, была подготовлена к развертыванию инфраструктура под производство полупроводниковых приборов.

     На  втором этапе реализации проекта DSO предусматривалось создание собственно производственной составляющей «Оазиса». Однако из-за кризиса и избытка в мире мощностей по производству микросхем до сих пор в DSO не удалось привлечь ни одного изготовителя микросхем, хотя переговоры велись более чем с десятком корпораций.

     В этих условиях для выхода на мировой рынок полупроводниковых приборов во второй половине 2008 года было решено приобрести через государственую инвестиционную компанию Advanced Technology Investment (ATIC) производственную базу корпорации AMD и создать с ней совместное предприятие - GlobalFoundries (доли ATIC и AMD - 65,8% и 34,2% соответственно). В первой половине 2009 года эта сделка, затраты на которую составили 12 млрд. долл., была завершена. При этом только на модернизацию дрезденского и строительство нью-йоркского заводов по обработке 300-мм пластин было выделено до 6 млрд. долл. Осенью 2009 года за 3,2 млрд. долл. был приобретен кремниевый завод компании Chartered Semiconductor Manufacturing в Сингапуре . С учетом поглощения этой компании можно говорить о том, что в первый же год существования компания GlobalFoundries по объему продаж (2,605 млрд. долл.) заняла третье место на рынке услуг кремниевых заводов, отстав от UMC всего на 8%. Наиболее устойчивы ее позиции по мощностям обработки 300-мм пластин (рис.2). Руководство ATIC и другой государственной инвестиционной компании Mubadala Development (владеет 19,9% акций AMD) эмирата Абу-Даби заявили о планах по созданию в ближайшие четыре года на территории ОАЭ современного кремниевого завода.