Моделирование процессов дефектообразования и профилей внедренной примеси в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами

Цель диссертационной работы – создание физической модели и моделирование на ЭВМ каскадных областей, распределений внедренных примесей по глубине и формирования нанокластеров в металлах и
полупроводниках, облученных быстрыми ионами.
В соответствии с поставленной целью в работе решались следующие задачи:
– создать физическую и математическую модели генерации радиационных дефектов в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами с учетом полных потерь энергии непосредственно в процессе генерации ПВА;
смоделировать на ЭВМ энергетические спектры ПВА и концентрационные
профили ВК по глубине в металлах (Al, Ti, Fe, Cu, Ag, Au) и полупроводниках
(Si, Ge), облученных быстрыми ионами;
– описать процессы генерации радиационных дефектов при ионном облучении с помощью цепей Маркова, при этом выражения для спектров ПВА, и КВФ вывести из уравнений Колмогорова-Чепмена;
– рассчитать профили распределения ВК по глубине в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами;
– смоделировать на ЭВМ и рассчитать профили распределения внедренных примесей в полупроводниках при облучении их быстрыми ионами;
– экспериментально выявить особенности перераспределения внедренных примесей по глубине кристалла в зависимости от условий имплантации (температура кристалла), термообработки (как на профили концентрации внедренной примеси, так и на структурные характеристики облучаемого материала и формируемых нанокластеров внедренных атомов).