Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Октября 2014 в 09:30, курсовая работа
С середины 60-х гг. начало складываться новое направление в моделировании п/п приборов, предполагающее замену реального объекта его математической моделью, которая впоследствии решается на ЭВМ методами вычислительной математики. Моделью фрагмента твёрдотельной микроэлектронной структуры является система уравнений физики полупроводников, описывающая процессы переноса носителей заряда и распространения потенциала электрического поля в приборе.
I.Введение……………………………………………………………………3
II.Математическая модель…………………………………………….…….4
1.1 Основные уравнения……………………………………………….4
1.2 Модели подвижности и рекомбинации.Краевые и начальные
условия………………………………………………………………7
III.Численное решение основной системы уравнений …………………...8
3.1 Алгебраизация ФСУ………………………………………………..9
3.1.1 Дискретизация уравнения Пуассона…………………………..11
3.1.2 Дискретизация уравнения непрерывности……………………13
3.2 Решение нелинейной алгебраической задачи……………………13
3.2.1 Метод установления……………..……………………………13
3.2.2 Другой вариант метода установления…..……………………14
3.2.3 Методы линеаризации для решения нелинейной системы…15
3.2.3.1 Итерационные методы решения линеаризированных
уравнений…………………………………………………...17
IV.Заключение………………………………………………………………...22
Литература…………………………………………………………………….